QSI电桥反接时（）。A、只有标准电容外壳带电B、只有桥体内部及三根引线带电C、标准电容器外壳、桥体内部及三根引线均带电

第1题：

现场用QSI型西林电桥测量设备绝缘的tgδ，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tgδ值大。

第2题：

在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

第3题：

测量变压器介质损失角正切值，用（）。

• A、电压降法
• B、屏蔽法
• C、直流电桥法
• D、QSI型交流电桥法

第4题：

采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。

• A、低
• B、高
• C、相等

第5题：

适用QSI型西林电桥测量试品tg∮，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在中间位置。

第6题：

介质损耗测量时,测量变压器的器身使用电桥正接法,测量套管使用反接法.（　）

第7题：

QS1型交流电桥在使用时有通常有以下（）接线方法

• A、正接线
• B、反接线
• C、侧接线
• D、低压接线

第8题：

使用高压电桥测量耦合电容器（包括断路器的断口均压电容器）的介损和电容时，宜采用（），反接线测量误差较（）。

• A、反接；小
• B、正接；大
• C、反接；大
• D、正接；小

第9题：

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。

第14题：

QS1电桥反接线时（）都处于高电位情况。

第15题：

采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。

第16题：

西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

• A、正接线
• B、反接线
• C、交叉接线

第17题：

在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

第18题：

QS1型交流电桥在使用时采用反接线方法，是使被试设备（）接地。测量时电桥上于（），试验电压受电桥绝缘水平限制，高压端对地杂散电流不易消除，抗干扰性差。

• A、两端、高电位
• B、两端、低电位
• C、一端、低电位
• D、一端、高电位

第19题：

在QSI型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥R3的调节值需趋向最高限值，电桥才能趋抽平衡。

第20题：

第21题：

第22题：

第23题：