晶体管的PN结的正向压降为()。
第1题:
第2题:
二极管导通状态描述错误的是()
第3题:
锗二极管正向电压超过0.2伏左右,硅管超过0.5伏左右,正向电流很快上升。
第4题:
晶体管工作在放大状态时,发射结反偏,对于硅管约为0.7v,锗管约为0.3v。
第5题:
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降,硅管的正向压降一般为0.2—0.4V,锗管正向压降,一般为0.5—0.8V。()
第6题:
锗二极管的正向压降通常为()。
第7题:
硅二极管的开启电压为0.5V左右,锗二极管为0.1V左右。
第8题:
常温下,硅二极管的正向导通压降为()。
第9题:
晶体管符号上的箭头朝外,则表示为()。
第10题:
锗二极管的正向导通电压为()。
第11题:
锗管为0.3V左右
锗管为0.7V左右
硅管为0.3V左右
硅管为0.7V左右
第12题:
第13题:
晶体管符号上的箭头朝外,则表示为()。
ANPN型晶体管;
BPNP型晶体管;
C硅管;
D锗管。
第14题:
小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。
第15题:
二极管处于导通状态时,二极管的压降()。
第16题:
锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。
第17题:
晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。
第18题:
硅管的正向压降为0.7V。()
第19题:
硅管的正向导通压降大于锗管。
第20题:
锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度()。
第21题:
晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为(),锗管约为0.3V。
第22题:
0.4V
0.5V
0.6V
0.7V
第23题:
对
错