场效应管分为结型和绝缘栅型两种。
第1题:
下列关于场效应管的说法中,错误的是:
第2题:
结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
第3题:
场效应管的类型有()。
第4题:
场效应管按结构分为结型和()。
第5题:
场效应管按其结构不同常见的两种类型:()和绝缘栅场效应管。
第6题:
根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,将场效应管分为()和耗尽型。
第7题:
场效应管按结构分为结型和()两种类型。
第8题:
结型场效应管的栅、源极之间应加()电压。
第9题:
更具结构不同,场效应管分为()
第10题:
FET有结型和绝缘栅型。
第11题:
第12题:
正极性
负极性
零
不能确定
第13题:
N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()
第14题:
绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种
第15题:
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
第16题:
场效应管按性能分为耗尽型和()。
第17题:
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。
第18题:
结型场效应管用作放大时,其栅源极之间应加()电压。
第19题:
绝缘栅型场效应管又分为()和(),两者区别()。
第20题:
绝缘栅型场效应管通常称为()、存放时应将三个电极()。
第21题:
根据结构的不同,场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
第22题:
P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
第23题:
较大
较小
为零
无法判断
第24题:
结型场效应晶体管,简称JFET
绝缘栅型场效应晶体管,简称JFET
结型场效应晶体管JGFET
绝缘栅型场效应晶体管JGFET