2、根据电池结构的不同,非晶硅薄膜太阳能电池的组件工艺主要分为两类,即玻璃为衬底的P-I-N结构组件制备工艺和以不锈钢或者塑料薄膜等为柔性衬底的 N-I-P结构组件制备工艺。()

题目

2、根据电池结构的不同,非晶硅薄膜太阳能电池的组件工艺主要分为两类,即玻璃为衬底的P-I-N结构组件制备工艺和以不锈钢或者塑料薄膜等为柔性衬底的 N-I-P结构组件制备工艺。()


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参考答案和解析
多晶硅薄膜电池
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  • 第1题:

    简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。


    正确答案:8次光刻的多晶硅薄膜晶体管增加了CMOS驱动电路部分由p沟道TFT和n沟道TFT的制作工艺。工艺流程:
    栅极→有源岛→n-区和n+区掺杂→p+区掺杂→过孔→源漏电极→钝化层→ITO像素电极
    5次光刻的非晶硅薄膜晶体管的工艺流程:
    栅极→a-Si:H有源岛→源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极

  • 第2题:

    采用晶体硅组件的示范项目补助标准为()元/瓦,采用非晶硅薄膜组件的为()元/瓦。

    • A、9;7
    • B、8;7
    • C、8;6
    • D、9;8

    正确答案:D

  • 第3题:

    非晶硅薄膜组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)应()。

    • A、≥7%
    • B、≥13.5%
    • C、≥15.5%
    • D、≥17%

    正确答案:A

  • 第4题:

    简述纯硅多孔玻璃的制备工艺过程。


    正确答案:用75%二氧化硅、20%三氧化二硼和5%氧化钠熔融形成玻璃,然后在773K~873K热处理,分成两相一相主要是为纯二氧化硅,而另一相富含氧化钠和三氧化二硼,这种玻璃经酸处理除去氧化钠和三氧化二硼后,可制得包含40~150埃气孔的纯二氧化硅多孔玻璃

  • 第5题:

    标准晶体硅太阳能电池组件封装工艺流程:电池片筛选()→单体正面焊接→背面焊接连串→铺设()→半成品测试→层压→裁边→装边框()→焊接接线盒→组件测试→外观检验→包装入库。


    正确答案:划片、检测;玻璃清洗、材料切割、排版、铺设;边框涂胶、装连接角码、装电池板、组框压合、清洗

  • 第6题:

    非晶硅薄膜组件效率不低于()。

    • A、0.15
    • B、0.1
    • C、0.14
    • D、0.06

    正确答案:D

  • 第7题:

    单晶硅太阳能电池组件的生产流程:()硅棒()()太阳电池组件;多晶硅太阳能电池组件的生产流程:()硅碇()硅片太阳电池太阳电池组件。


    正确答案:高纯硅材料;硅片;太阳电池;高纯硅材料;硅块

  • 第8题:

    商品太阳能电池组件中占主导地位的是()太阳能电池.

    • A、晶体硅
    • B、非晶硅
    • C、单晶硅
    • D、多晶硅

    正确答案:A

  • 第9题:

    微晶玻璃的制备原理及其工艺过程。


    正确答案: 有控制的析晶和诱导析晶是制备微晶玻璃的基础。成核和晶体长大是实现控制析晶的关键,对成核相晶体长大的控制,可使玻璃形成具有一定数量和大小的晶相。微晶玻璃一般是在玻璃的转变温度以上,主晶相的熔点以下成核和晶体长大。成核过程必须严格控制升温速度和成核温度。防止制品变形和不必要的多晶转变。

  • 第10题:

    填空题
    在外延工艺中,如果膜和衬底材料(),例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为();反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为()。

    正确答案: 相同,同质外延,异质外延
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    问答题
    硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?

    正确答案: 从硅气相外延工艺原理可知,硅外延生长的表面外延过程是外延剂在衬底表面被吸附后分解出Si原子,他迁移到达结点位置停留,之后被后续的Si原子覆盖,该Si原子成为外延层中原子。因此衬底表面“结点位置”的存在是外延过程顺利进行的关键,如果外延衬底不是准确的(100)或(111)晶面,而是偏离一个小角度,这在其表面就会有大量结点位置,所以,硅气相外延工艺采用的衬底通常偏离准确的晶向一个小角度。
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    商品太阳能电池组件中占主导地位的是()太阳能电池.
    A

    晶体硅

    B

    非晶硅

    C

    单晶硅

    D

    多晶硅


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    硅外延生长工艺包括()。

    • A、衬底制备
    • B、原位HCl腐蚀
    • C、生长温度,生长压力,生长速度
    • D、尾气的处理

    正确答案:A,B,C,D

  • 第14题:

    回答标准晶体硅太阳电池组件采用的封装结构?回答温屏光伏组件结构组成主要包括哪些部分?


    正确答案: (1)标准晶体硅太阳电池组件采用的封装结构为:由低铁钢化玻璃一EVA一太阳电池片一EVA一TPT层叠封装后,再组装铝合金边框和接线盒。
    (2)温屏光伏组件结构组成主要包括:超白钢化玻璃、PVB胶膜、太阳电池片、PVB胶膜、浮法钢化玻璃、中空层、金属膜、浮法钢化玻璃,以及接线盒、密封胶(丁基胶)、结构胶(聚硫胶或者硅酮胶)、铝间隔条、干燥剂等。

  • 第15题:

    柴油机的曲柄连杆结构主要包括()和飞轮等。

    • A、活塞组件
    • B、连杆组件
    • C、曲柄组件
    • D、上述三项

    正确答案:D

  • 第16题:

    高硅氧玻璃的制备原理及生产工艺


    正确答案: 高硅氧玻璃纤维其工艺原理是利用玻璃在熔融或冷却过程中,二个或二个以上互不相容的液相彼此分离,利用其结构的分相而生产的。

  • 第17题:

    简述非晶氢化氮化硅(α-SiNx:H)薄膜的优点及其制备工艺。


    正确答案: (1)H原子对硅材料中的体缺陷和晶界起到钝化作用,降低表面复合速度,进而提高VOC和ISC。
    (2)氮化硅还有良好的抗氧化、抗腐蚀和绝缘性能,以及良好的阻挡钠离子等金属离子和水蒸气的能力。
    (3)氮化硅膜具有很高的正电荷密度,3~4×1012cm-3,有利于N区多子通过。制备工艺:使用PECVD法制备。在反应炉内通入SiH4和NH3(或N2)气体,使它在硅晶表面产生一层非晶氮化硅减反膜,在减反膜里含有原子比例约为40℅的氢原子。

  • 第18题:

    光伏组件类型主要包括()。

    • A、单晶组件
    • B、多晶组件
    • C、薄膜组件
    • D、非晶硅组件

    正确答案:A,B,C,D

  • 第19题:

    目前,商品太阳能电池组件主要包括()太阳能电池3种。

    • A、单晶硅
    • B、多晶硅
    • C、非晶硅
    • D、以上全不是

    正确答案:A,B,C

  • 第20题:

    下面()不是影响太阳能电池组件输出特性的主要因素。

    • A、负载阻抗
    • B、晶体结构
    • C、湿度
    • D、日照强度

    正确答案:C

  • 第21题:

    问答题
    简述纯硅多孔玻璃的制备工艺过程

    正确答案: 用75%二氧化硅、20%三氧化二硼和5%氧化钠熔融形成玻璃,然后在773K~873K热处理,分成两相一相主要是为纯二氧化硅,而另一相富含氧化钠和三氧化二硼,这种玻璃经酸处理除去氧化钠和三氧化二硼后,可制得包含40~150埃气孔的纯二氧化硅多孔玻璃
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    问答题
    微晶玻璃的制备原理及其工艺过程。

    正确答案: 有控制的析晶和诱导析晶是制备微晶玻璃的基础。成核和晶体长大是实现控制析晶的关键,对成核相晶体长大的控制,可使玻璃形成具有一定数量和大小的晶相。微晶玻璃一般是在玻璃的转变温度以上,主晶相的熔点以下成核和晶体长大。成核过程必须严格控制升温速度和成核温度。防止制品变形和不必要的多晶转变。
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    单选题
    下列不属于非晶硅优点的是().
    A

    制备方法简单

    B

    工艺成本低

    C

    制备温度高

    D

    可大面积制备


    正确答案: D
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    填空题
    半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料()、()和化合物晶体材料()、();硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选();TTL集成电路衬底材料的晶向常选();常用的硅集成电路介电薄膜是()、();常用的IC互连线金属材料是()、()。

    正确答案: Si,Ge,GaAs,InP,(100),(111),SiO2,Si3N4,Al,Cu
    解析: 暂无解析