第9题:
问答题
试用多晶体的塑性变形过程说明金属晶粒越细强度越高、塑性越好的原因?
正确答案:
多晶体的塑性变形过程:
1、多晶体中由于各晶粒的位向不同,则各滑移系的取向也不同,因此在外加拉伸力的作用下,各滑移系上的分切应力也不相同。由此可见,多晶体中各个晶粒并不是同时发生塑性变形,只有那些取向最有利的晶粒随着外力的增加最先发生塑性变形。
2、晶粒发生塑性变形就意味着滑移面上的位错源已开启,位错将会源源不断地沿着滑移面上的滑移方向运动。但是,由于相邻晶粒的位向不同,滑移系的取向也不同,因此运动着的位错不能够越过晶界,滑移不能发展到相邻晶粒中,于是位错在晶界处受阻,形成位错的平面塞积群。
3、位错平面塞积群在其前沿附近造成很大的应力集中,这一集中应力与不断增加的外加载荷相叠加,使相邻晶粒某些滑移系上的分切应力达到临界值,于是位错源开动,开始塑性变形。
4、为了协调已发生变形的晶粒形状的改变,要求相邻晶粒必须进行多系滑移,这样就会使越来越多的晶粒参与塑性变形。
5、在多晶体的塑性变形中,由外加载荷直接引起塑性变形的晶粒只占少数,不产生明显的宏观效果,多数晶粒的塑性变形是由已塑性变形的晶粒中位错平面塞积群所造成的应力集中所引起,并造成一定的宏观塑性变形效果。
6、多晶体的塑性变形具有不均匀性。由于各晶粒间以及晶粒内和晶界位向不同的影响,各个晶粒间及晶粒内的变形都是不均匀的。
晶粒越细强度越高、塑性越好的原因:
强度:由多晶体的塑性变形过程可知,多数晶粒的塑性变形是由先塑性变形晶粒中的位错平面塞积群引起的应力集中于外加载荷相叠加而引起的。由位错运动理论可以得知,位错塞积群在障碍处产生的应力集中与位错数目有关,位错数目越多,造成的应力集中越大,而位错数目与位错源到障碍物的距离成正比。所以晶粒越小,位错源到障碍物(晶界)的距离越短,位错数目越少,造成的应力集中越小,此时如果要是相邻晶粒发生塑性变形,则需要较大的外加载荷,也就是抵抗塑性变形的能力月强,强度越高。
塑性:由多晶体的塑性变形过程可知,多晶体的塑性变形具有不均匀性。晶粒越细,各晶粒间或晶粒内部与晶界处的应变相差越小,变形较均匀,相对来说因不均匀变形产生应力集中引起开裂的机率较小,这就有可能在断裂前承受较大的塑性变形量,可以得到较高的伸长率和断面收缩率。
韧性:由于细晶粒的变形较均匀,不易产生应力集中裂纹,而且晶粒越细晶界面积越大,对裂纹扩展的阻力越大,因此在断裂过程中可以吸收更多的能量,表现出较高的韧性。
解析:
暂无解析