光密介质中的合成场为()。A、纵电场B、横磁场C、纵磁场D、横电场

题目
光密介质中的合成场为()。

A、纵电场

B、横磁场

C、纵磁场

D、横电场

相似考题

1.4、光疏介质和光密介质中合成场的等振幅面均平行于界面。

2.6、光密介质中的合成场为（）。A．横电场B．横磁场C．纵电场D．纵磁场

3.光密介质中合成场的传播相速度可以大于真空中的光速。

4.光密介质中合成场的传播相速度和群速度均可以大于真空中的光速。

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  • 第1题：

    光密介质中合成场的群速度能够大于真空中的波速。


    光的波长变小

  • 第2题：

    3、光密介质中的合成场为（）。

    A．横电场

    B．横磁场

    C．纵磁场

    D．纵电场


    横电场

  • 第3题：

    光密介质中的合成场为（）。

    A．横电场

    B．横磁场

    C．纵电场

    D．纵磁场


    错误

  • 第4题：

    22、光密介质中合成场的传播相速度和群速度均可以大于真空中的光速。


    正确

  • 第5题：

    6、光密介质中合成场的传播相速度可以大于真空中的光速。


    正确

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