3、场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的。
A.电流
B.电场
C.电压
D.电阻
第1题:
A.原极;
B.漏极;
C.栅极;
第2题:
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号(即驱动信号)为()。
第3题:
场效应管与三极管相似,但两者的控制特性却截然不同,三极管是电压控制元件,场效应管是电流控制元件。()
第4题:
场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的。
第5题:
结型场效应管利用删源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。
第6题:
根据场效应管的转移特性,可知场效应管是一种()器件。
第7题:
场效应管是通过改变()来改变漏极电流的,所以是一个()控制的()器件。
第8题:
场效应管是一种利用()来控制其电流大小的半导体三极管,所以我们说场效应管是()器件,三极管是()器件。
第9题:
场效应管是利用输入回路的()来控制输出电流的半导体器件,而晶体管是利用输入回路()来控制输出电流的。
第10题:
场效应管是一种利用()来控制其电流大小的半导体器件。
第11题:
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值愈大,场效应管的控制能力愈强。
第12题:
栅极电流
栅源电压
漏源电压
栅漏电压
第13题:
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。
第14题:
三极管和场效应晶体管的控制信号(即驱动信号)为()。
第15题:
三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。
第16题:
场效应管中,夹断电压表示漏极电流为()时的栅源电压。
第17题:
场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。
第18题:
场效应管是通过()改变漏极电流的。
第19题:
场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈()关系。
第20题:
场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的,因此,称它为()控制电流的器件。
第21题:
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制,来改变()的宽窄,从而控制漏极电流的大小;而MOSFET则是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面()的多少,从而控制漏极电流的大小。
第22题:
三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。
第23题:
反偏电压
反向电流
正偏电压
正向电流
第24题:
UDG
UDS
UGS
IGS