由于NAND型Flash容量较大，所有与DRAM相似，NAND型地址线也采用了地址的分时复用策略。

题目

由于NAND型Flash容量较大，所有与DRAM相似，NAND型地址线也采用了地址的分时复用策略。

相似考题

1.进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是(13)。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作

2.下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述，其中错误的是（）。A.系统使用的RAM有SRAM、DRAM等多种B.Flash存储器分为NOR Flash和NAND Flash两种C.FRAM已得到使用D.目前还没有使用Cache存储器

3.8086采用了地址线与数据线分时复用方式，与此方式有关的控制信号( )。A．DENB．ALEC．DT/RD．HLDA

4.进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是______。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作A．B．C．D．

更多“由于NAND型Flash容量较大，所有与DRAM相似，NAND型地址线也采用了地址的分时复用策略。”相关问题

  • 第1题：

    下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是：（）。

    A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术

    B.NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势

    C.NOR Flash写入和擦除速度较慢

    D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash


    正确答案：D

  • 第2题：

    DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的，通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片，能访问的存储单元数目是

    A．29个

    B．(29+29)个

    C．(29×29)个

    D．(9×9)个


    正确答案：C

  • 第3题：

    嵌入式存储器系统设计中，一般使用．三种存储器接口电路：NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路，以下叙述中错误的是(27) 。

    A.系统引导程序可以放在NORFlash中，也可以放在NAND Flash中

    B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行

    C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行

    D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性，其访问速度要大于Flash存储器


    正确答案：C
    本题考查嵌入式系统存储硬件设计的基础知识。在嵌入式系统的存储硬件设计中，一般采用三种存储器接口即NORFlash存储器、NandFlash存储器和SDRAM存储器。NORFlash带有通用的SRAM接口，可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上，对CPU的接口要求低。NORFlash的特点是芯片内执行(XIP，eXecuteInPlace)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。如uboot中的只读段可以直接在NORFlash上运行。NANDFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。由于时序较为复杂，所以一般CPU最好集成NAND控制器。另外由于NANDFlash没有挂接在地址总线上，所以如果想用NANDFlash作为系统的启动盘，就需要CPU具备特殊的功能，如s3c2410在被选择为NANDFlash启动方式时会在上电时自动读取NANDFlash的4kb数据到地址0得SRAM中。如果CPU不具备这种特殊功能，用户不能直接运行NANDFlash上的代冯，那可以采取其他方式，比如好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlaslI以外，还用一块小的NORFlash来运行启动代码。任何Flash器件的写入操作都只能在空或已擦除的单元内进行。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。SDRAM是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。相对于NORFlash和NandFlash，SDRAM的访问读写速度要快得多。

  • 第4题：

    NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）

    • A、NOR的读速度比NAND稍慢一些
    • B、NAND的写入速度比NOR慢很多
    • C、NAND的擦除速度远比NOR的慢
    • D、大多数写入操作需要先进行擦除操作

    正确答案:D

  • 第5题：

    混合硬盘的NAND闪存容量是可见的


    正确答案:错误

  • 第6题：

    关于分时复用的总线，说法不正确的是（）。

    • A、采用分时复用的地址数据总线可以有效减少芯片的引脚数
    • B、分时复用的地址数据总线上的地址信号必须锁存
    • C、为使用分时复用的地址数据总线，CPU必须提供ALE信号
    • D、8086中只有分时复用的地址数据总线

    正确答案:D

  • 第7题：

    Nand Flash比Nor Flash成本高，可靠性差。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    简述NOR Flash与NAND Flash的区别。


    正确答案:1、NOR Flash把整个存储区分成若干个扇区（Sector），而NAND Flash把整个存储区分成若干个块（Block），可以对以块或扇区为单位的内存单元进行擦写和再编程。
    2、NAND Flash执行擦除操作是十分简单的，而NOR型内存则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
    3、由于擦除NOR Flash时是以64～128KB为单位的块进行的，执行一个写入／擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND Flash是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
    4、NOR Flash的读速度比NAND Flash稍快一些，NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多。NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。
    5、除了NOR Flash的读，Flash Memory的其他操作不能像RAM那样，直接对目标地址进行总线操作。
    6、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线/16位总线，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存取数据，8位总线/16位总线用来传送控制、地址和资料信息。
    7、NAND Flash读和写操作采用512B的块，基于NAND的闪存可以取代硬盘或其他块设备。
    8、NOR Flash容量通常在1MB～8MB之间。而NAND Flash用在8MB以上的产品当中。NOR Flash主要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。
    9、所有Flash Memory器件存在位交换现象，使用NAND Flash的时候，同时使用EDC/ECC（错误探测／错误纠正）算法，以确保可靠性。
    10、NAND Flash中的坏块是随机分布的，NAND Flash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。
    11、应用程序可以直接在NOR Flash内运行，NOR Flash的传输效率很高，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND Flash结构可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，应用NAND Flash的困难在于需要特殊的系统接口。
    12、在NOR Flash上运行代码不需要任何的软件支持。在NAND Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序（MTD），NAND Flash和NOR Flash在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

  • 第9题：

    8086微处理器的AD0～AD15使用了分时复用技术，这种分时复用是指它们：（）

    • A、既可以是地址线，也可以是控制线
    • B、既可以是数据线，也可以是控制线
    • C、在同一时刻既作为数据线使用也作为地址线使用
    • D、在不同时刻分别作为数据线和地址线使用

    正确答案:D

  • 第10题：

    问答题
    说明NOR FLASH与NAND FLASH的主要区别，使用时应如何选用？

    正确答案： NOR Flash具有以下特点：
    （1）程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行；
    （2）可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。
    但是NOR Flash的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。
    NAND Flash具有以下特点：
    （1）以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512B（字节）；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。
    （2）数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。
    （3）芯片尺寸小，引脚少，是位成本（bit cost）最低的固态存储器，将很快突破每兆字节1美元的价格限制。
    （4）芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。
    NOR Flash具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
    NAND Flash结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储，主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。
    A

    NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术

    B

    NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势

    C

    NOR Flash写入和擦除速度较慢

    D

    数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash


    正确答案： D
    解析： NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的闪存技术；NOR Flash ROM的特点是以字节为单位随机存取，但NOR Flash ROM写入和擦除速度较慢，影响了它的性能。NAND Flash ROM以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命和成本方面有较大优势。但是它的读出速度稍慢，编程较为复杂，因此大多作为数据存储器使用。数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NAND Flash，故D选项错误。

  • 第12题：

    判断题
    Nand Flash比Nor Flash成本高，可靠性差。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    简述NAND_FLASH和NOR_FLASH的异同点？


    正确答案：
    答案：Nor-flash的读速度比Nand-Flash快Nor-flash的写速度比Nand-Flash慢Nor-flash的擦除速度比Nand-Flash慢大多数写入操作需要先进行擦除操作Nand-flash的擦除单元更小，相应的擦除电路更少Norflash待用SRAM接口，有足够多的地址引脚，容易进行电路设计Nand-flash使用复杂的I/O口串行传输数。单位面积内Nand-flash存储容量更大Nand-flash占据大容量存储市场(8-128M)可靠性和耐用性nandFlash更优秀（可擦写次数100万：10万）易用性Nor-flash不需要软件支持，片上执行Nandflash需要驱动程序支持

  • 第14题：

    Gen8服务器采用了iLO4芯片,其NAND flash容量大小为多少()

    A.1GB

    B.8GB

    C.4GB

    D.2GB


    参考答案：A

  • 第15题：

    下列哪些是混合硬盘的特点？（）

    • A、闪存模块直接整合到硬盘
    • B、具有8GB-16GB等较大SLC闪存
    • C、通常使用的闪存是NAND闪存
    • D、内置NAND容量不可见

    正确答案:A,B,C,D

  • 第16题：

    固态硬盘SSD的存储介质包括（）

    • A、磁介质盘片
    • B、磁带介质
    • C、DRAM
    • D、NAND型Flash颗粒

    正确答案:C,D

  • 第17题：

    说明NOR FLASH与NAND FLASH的主要区别，使用时应如何选用？


    正确答案:NOR Flash具有以下特点：
    （1）程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行，而无需先将代码下载至RAM中再执行；
    （2）可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。
    但是NOR Flash的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间很长，在纯数据存储和文件存储的应用中，NOR技术显得力不从心。
    NAND Flash具有以下特点：
    （1）以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512B（字节）；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。
    （2）数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。
    （3）芯片尺寸小，引脚少，是位成本（bit cost）最低的固态存储器，将很快突破每兆字节1美元的价格限制。
    （4）芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。
    NOR Flash具有可靠性高、随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如PC的BIOS固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
    NAND Flash结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储，主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心。

  • 第18题：

    NAND型闪存的基本存储单元是（）。

    • A、MB
    • B、Page
    • C、Bit
    • D、Byte

    正确答案:B

  • 第19题：

    简述S3C2410A NAND Flash控制器的基本特性。


    正确答案:NAND Flash模式：支持读／擦除／编程NAND Flash存储器。
    自动启动模式：复位后，启动代码被传送到Steppingstone中。传送完毕后，启动代码在Steppingstone中执行。
    具有硬件ECC产生模块（硬件生成校验码和通过软件校验）。
    在NAND Flash启动后，Steppingstone4KB内部SRAM缓冲器可以作为其他用途使用。
    NAND Flash控制器不能通过DMA访问，可以使用LDM/STM指令来代替DMA操作。

  • 第20题：

    下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。

    • A、NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术
    • B、NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势
    • C、NOR Flash写入和擦除速度较慢
    • D、数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash

    正确答案:D

  • 第21题：

    Gen8服务器采用了iLO4芯片，其NAND flash容量大小为多少（）

    • A、1GB
    • B、8GB
    • C、4GB
    • D、2GB

    正确答案:A

  • 第22题：

    单选题
    NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）
    A

    NOR的读速度比NAND稍慢一些

    B

    NAND的写入速度比NOR慢很多

    C

    NAND的擦除速度远比NOR的慢

    D

    大多数写入操作需要先进行擦除操作


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    8086在对存储器进行访问时，数据线和地址线分时复用，数据线先于地址线有效。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析：

  • 第24题：

    单选题
    某型NAND Flash芯片的地址线和数据线是复用的，它具有的部分引脚为ALE、CE、RE、R/B，如果下面每一个选项是用于简述这些引脚的功能的，其中完全正确的是（）
    A

    低电平有效的芯片使能、命令锁存允许、准备就绪/忙输出、读使能/写使能

    B

    命令锁存允许、低电平有效的写保护、低电平有效的芯片使能、地址锁存允许

    C

    地址锁存允许、低电平有效的芯片使能、低电平有效的读使能、准备就绪/忙输出

    D

    准备就绪/忙输出、低电平有效的读使能、低电平有效的写使能、命令锁存允许


    正确答案： A
    解析： NAND Flash主要用于片外程序存储器，为了节省引脚，降低体积，地址线和数据线一般采用分时复用技术。ALE、CE、RE、R/B分别表示地址锁存允许、低电平有效的芯片使能、低电平有效的读使能、准备就绪/忙输出。故C项正确。

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