单晶的制备应在（）条件下A．稀溶液B．浓溶液C．稀溶液加搅拌D．浓溶液加搅拌
题目
单晶的制备应在（）条件下
A．稀溶液
B．浓溶液
C．稀溶液加搅拌
D．浓溶液加搅拌
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第1题：
简述单晶材料制备中定向凝固法原理。
正确答案: （1）本质上，定向凝固法是借助在一个温度梯度内进行结晶，从而在单一的固-液界面上成核。
（2）要结晶的材料通常放在一个圆柱形的坩埚内，使该坩埚下降通过一个温度梯度，或者使加热器坩埚上升。通常把坩埚固定在一个设计得能产生近似一线性梯度的温度的炉子内，然后冷炉子 -
第2题：
简述应变退火法制备铝单晶的几种工艺。
正确答案: （1）先在550℃使纯度为99.06%的铝退火，以消除原有应变的影响和提供要求的大小，再使无应变的晶粒较细的铝变形以产生1%-2%的应变，然后将温度从450℃，长到550℃，按25℃/天的速度退火，在一些场合，最后再要在600℃退火1h。
（2）在初始退火之后，较低温度下的所谓回复退火会减少晶粒数目，并帮助晶粒在后期退火时更快地长大。在320℃退火4h以得到回复，接着加热试样到450℃，并在该温度下保温2h，这样便长出长约15cm，直径约1mm的丝状单晶。
（3）在液氮温度附近冷滚轧，继之在640℃退火10s，并在水中淬火，制备了用于再结晶的铝，此时样品中含有2mm大小的晶粒和强烈的织构，再通过一个温度梯度退火，然后加热到640℃，可得到约1m长的晶体。
（4）采用交替施加应变和退火的方法，很容易抽取宽2.5cm的高纯单晶铝带，使用的应变不足以使新晶粒成核，而退火温度为640℃。 -
第3题：
单晶的制备应从（）。
- A、稀溶液
- B、浓溶液
- C、稀溶液加搅拌
正确答案:A -
第4题：
单晶硅锭的制备方法很多，目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。
正确答案:错误 -
第5题：
下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。
- A、硅带法
- B、区熔法
- C、直拉单晶法
- D、磁拉法
正确答案:A -
第6题：
单选题硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第7题：
单选题单晶的制备应从（）。A稀溶液
B浓溶液
C稀溶液加搅拌
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第8题：
判断题注射用水应在无菌条件下保存，并应在制备后的24小时内使用。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？正确答案： 整形处理，切片，磨片和倒角，刻蚀，抛光，清洗，硅片评估，包装。解析： 暂无解析 -
第10题：
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
D单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题在金属间化合物的制备方法中，单晶化合物的制备方法与定向凝固法有何异同？正确答案： （1）金属间化合物单晶的制备
① 利用金属凝固时，固液相界面上有着较大的温度梯度，而且凝固是从一端开始恒速而缓慢地进行的方法。
② 金属蒸气凝聚在基材上时， 按照晶体的取向通常择优生长，并由此而制得单晶。
③ 加工变形的材料， 在某一温度以上加热会产生再结晶， 利用晶粒的长大而制备单晶。
（2）定向凝固
当二元或三元共晶合金沿某一方向连续凝固时，所形成的共晶相按照一定取向呈层状或纤维状排列。
定向凝固法和单晶制备法在本质上是相同的，区别在于：前者制得的是共晶合金，后者制得的是单相材料。 定向凝固的制品一般多为镍基或钴基高温合金。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题简述单晶材料制备中高温溶液法基本原理。正确答案： 水中难溶，而且又不适合用熔体法生长晶体的物质，一般采用高温（＞300℃）溶液法生长其晶体。该类方法十分类似于常温溶液法，主要区别是高温溶液生长温度高，体系中的相关系更复杂。
（1）高温溶液法是结晶物质在高温条件下溶于适当的助熔剂中形成溶液，在其过饱和的情况下生长为单晶的方法。因此，其基本原理与常温溶液法相同。但助熔剂的选择和溶液相关系的确定是高温溶液法晶体生长的先决条件。
（2）高温溶液法中没有一种助熔剂像常温溶液中的水似的，能够溶解多种物质并适合其晶体生长。因此，助熔剂的选择就显得十分重要。解析： 暂无解析 -
第13题：
单晶材料制备中区域熔化法的原理。
正确答案:区域熔化技术是半导体提纯的主要技术。也可以作为一种单晶生长技术，因为在用它进行提纯时的确常常得到单晶。要制备单晶，可将单晶体籽晶放在料舟的左边。籽晶须部分熔化，以便提供一个清洁的生长表面。然后熔区向右移动，倘若材料很容易结晶也可以不要籽晶。热源可以是熔体、料舟或受感器耦合的射频加热。其他热源包括电阻元件的辐射加热、电子轰击以及强灯光或日光的聚焦辐射。 -
第14题：
如何选择单晶体的制备方法？
正确答案:采用什么方法生长晶体是由结晶物质的性质决定的。例如结晶物质只有分解温度而无熔点，就不能采用熔体法，而应选择水溶液或高温溶液法生长其晶体，这样可以大大降低其生长温度，又如水中难溶物的晶体就不能用常温溶液法，而需要采用其他溶剂或高温溶液法生长其晶体。有些晶体可用不同方法生长，这就要根据需要和实验条件加以选择。一般来说，如果能够用熔体法生长晶体，就不用溶液法生长，如果能够用常温溶液或水溶液法，就不用高温溶液法。 -
第15题：
注射用水应在无菌条件下保存，并应在制备后的24小时内使用。
正确答案:错误 -
第16题：
用水热法制备二氧化硅单晶的原理是什么？写出其反应式和反应条件。
正确答案:人造水晶的生长过程包含两个过程：
（1）溶质离子的活化。Nas3o7--+H2O=·Si3O6-+Na++2OH-NaSi3O5-+H2O=·Si3O4-+Na++2OH-
（2）活化了的离子受生长体表面活性中心离子的吸引（静电引力、化学引力及范式引力）穿过生长体表面的扩散层而沉降到水晶表面。 -
第17题：
问答题列出从熔体制备单晶、非晶的常用方法有哪些？正确答案： 从熔体中制备单晶的方法主要有焰熔法、提拉法和区域熔炼法。
非晶的制备方法包括：快速凝固、铜模铸造法、熔体水淬法、抑制形核法、粉末冶金技术、自蔓延反应合成法、定向凝固铸造法等。解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题简述砷化镓单晶的主要制备方法。正确答案： 一种是在石英管密封系统中装有砷源，通过调节砷源温度来控制系统中的砷压。这种方法包括水平舟区熔法、定向结晶法、温度梯度法、磁拉法和浮区熔炼法等。另一种是将熔体用某种液体覆盖，并在压力大于砷化镓离解压的气氛中合成拉晶，称为液体封闭直拉法。解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题简述熔体制备单晶的方法，坩埚法和直拉法的过程细节。正确答案： 坩埚法特点是所生长的晶体的质量高，速度快。熔体置于坩埚中，一块小单晶，称为籽晶，与拉杆相连，并被置于熔体的液面处。加热器使单晶炉内的温场保证坩埚以及熔体的温度保持在材料的熔点以上，籽晶的温度在熔点以下，而液体和籽晶的固液界面处的温度恰好是材料的熔点。随着拉杆的缓缓拉伸（典型速率约为每分钟几毫米），熔体不断在固液界面处结晶，并保持了籽晶的结晶学取向。为了保持熔体的均匀和固液界面处温度的稳定，籽晶和坩埚通常沿相反的方向旋转（转速约为每分钟数十转）.
高压惰性气体（如Ar）常被通入单晶炉中防止污染并抑制易挥发元素的逃逸.
坩埚下降法基本原理使装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场。开始时整个物料都处于熔融状态，当坩埚下降通过熔点时，熔体结晶，随着坩埚的移动，固液界面不断沿着坩埚平移，直至熔体全部结晶。使用此方法，首先成核的是几个微晶，可使用籽晶控制晶体的生长。解析： 暂无解析 -
第20题：
填空题硅单晶的（）是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为P型和N型两大类。正确答案： 导电类型解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题简述单晶材料制备中定向凝固法原理。正确答案： （1）本质上，定向凝固法是借助在一个温度梯度内进行结晶，从而在单一的固-液界面上成核。
（2）要结晶的材料通常放在一个圆柱形的坩埚内，使该坩埚下降通过一个温度梯度，或者使加热器坩埚上升。通常把坩埚固定在一个设计得能产生近似一线性梯度的温度的炉子内，然后冷炉子解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题集成电路用单晶硅的主要制备方法是（）正确答案： 提拉法和区熔法解析： 暂无解析 -
第23题：
单选题干混砂浆浆料制备时待检样品应在试验条件下放置（）以上。A16h
B20h
C24h
D30h
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第24题：
单选题制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是（）.A汽-固
B液-固
C固-固
D汽-液
正确答案： D解析： 暂无解析