N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。

题目

N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。

相似考题

1.场效应管的工作原理是()A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

2.在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

3.按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( )A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道

4.晶闸管的三个引出电极分别是()。A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极

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  • 第1题：

    可关断晶闸管三个电极分别为()。

    A.发射极，基极，集电极

    B.第一基极，发射极，第二基极

    C.源极，栅极，漏极

    D.阴极，门极，阳极


    正确答案：D

  • 第2题：

    MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。

    A、基极

    B、源极

    C、发射极

    D、阻板


    参考答案：B

  • 第3题：

    功率MOSFET的极限参数指的是( )。

    A、最大漏极电流

    B、最小漏极电流

    C、最大许用漏-源电压

    D、最小许用漏-源电压


    正确答案:A,C

  • 第4题：

    绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。

    A.发射极，基极，集电极；

    B.发射极，栅极，集电极；

    C.源极，栅极，漏极；

    D.阴极，门极，阳极。


    正确答案:B 

  • 第5题：

    描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

    • A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量
    • B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量
    • C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量
    • D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量

    正确答案:B

  • 第6题：

    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。


    正确答案:错误

  • 第7题：

    场效应管共漏极放大电路的信号是从（）

    • A、栅极输入，漏极输出
    • B、源极输入，漏极输出
    • C、栅极输入，源极输出
    • D、漏极输入，源极输出

    正确答案:C

  • 第8题：

    IGBT的3个引出电极分别是（）

    • A、阳极、阴极、门极
    • B、阳极、阴极   栅极
    • C、栅极、源极  漏极
    • D、发射极、栅极、集电极

    正确答案:D

  • 第9题：

    晶闸管三个电极分别叫做（）.

    • A、阳极阴极和控制极
    • B、阳极阴极和栅极
    • C、屏极阴极和控制极
    • D、漏极源极和栅极

    正确答案:A

  • 第10题：

    功率场效应管的三个引脚符号为（）

    • A、源极S、漏极D、发射极E
    • B、漏极D、发射极E、集电极C
    • C、栅极G、发射极E、集电极C
    • D、源极S、漏极D、栅极G

    正确答案:D

  • 第11题：

    判断题
    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    IGBT的3个引出电极分别是（）
    A

    阳极、阴极、门极

    B

    阳极、阴极   栅极

    C

    栅极、源极  漏极

    D

    发射极、栅极、集电极


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。

    A、栅极和漏极

    B、栅极和源极

    C、漏极和源极

    D、基极和发射极


    参考答案：B

  • 第14题：

    一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。

    A、0

    B、1

    C、5

    D、10


    参考答案：D

  • 第15题：

    增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

    A、不能形成导电沟道

    B、漏极电压为零

    C、能够形成导电沟道

    D、漏极电流不为零


    参考答案：A

  • 第16题：

    电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


    参考答案：P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

  • 第17题：

    场效应管的三个极分别为？（）

    • A、发射极
    • B、栅极
    • C、源极
    • D、漏极

    正确答案:B,C,D

  • 第18题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第19题：

    从栅极输入，从漏输出的是共（）极电路；从栅极输入，从源极输出的是共漏极电路。


    正确答案:源

  • 第20题：

    晶闸管的3个引出电极分别是（）

    • A、阳极、阴极、栅极
    • B、阳极、阴极、门极
    • C、栅极、漏极、源极
    • D、发射极、基极、集电极

    正确答案:B

  • 第21题：

    电力场效应晶体管有三个引脚，分别为（）、栅极G、漏极D。


    正确答案:源极S

  • 第22题：

    填空题
    在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。

    正确答案： 沟道夹断,载流子漂移速度的饱和
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    晶闸管的3个引出电极分别是（）
    A

    阳极、阴极、栅极

    B

    阳极、阴极、门极

    C

    栅极、漏极、源极

    D

    发射极、基极、集电极


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

    正确答案： 大,衬底,严重
    解析： 暂无解析

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