关于电荷耦合器(CCD)技术的数字摄影(DR)系统，错误的说法是()。A.当前所有应用CCD技术的DR系统都是间接转换形式B.临床荧光体成像区域与可用的CCD有效区域之间存在物理尺寸的差异C.透镜耦合式的CCD探测器不可避免地会导致影像质量的下降D.CCD对X线敏感，故产品要避免辐射损伤E.CCD广泛用于显示较大面积的临床图像

题目

关于电荷耦合器(CCD)技术的数字摄影(DR)系统，错误的说法是()。

A.当前所有应用CCD技术的DR系统都是间接转换形式

B.临床荧光体成像区域与可用的CCD有效区域之间存在物理尺寸的差异

C.透镜耦合式的CCD探测器不可避免地会导致影像质量的下降

D.CCD对X线敏感，故产品要避免辐射损伤

E.CCD广泛用于显示较大面积的临床图像

相似考题

1.有信息丢失的危险且网络连接能力低的数字影像信息获取方式是( )。A.胶片数字化仪(Film Digitizer)B.计算机X线摄影(Computed Radiography, CR)C.电荷耦合器(charge-coupled device，CCD)技术D.碘化铯/非晶硅平板探测器(a-Si)E.非晶硒平板探测器(a-Se)

2.CCD是()的简称。A、电荷耦合器件B、金属氧化物半导体C、电荷引动元件D、其他

3.关于DR探测器的类型，错误的是A．非晶硒平板型探测器B．非晶硅平板型探测器C．碘化铯平板型探测器D．多丝正比室扫描DRE．CCD摄像机型DR

4.数字X线摄影(DR)的核心技术是( )。A.FPDB.FFDC.CCDD.CADE.DSA

参考答案和解析
答案：E
更多“关于电荷耦合器(CCD)技术的数字摄影(DR)系统,错误的说法是()。A.当前所有应用CCD技术的DR系统都 ”相关问题

  • 第1题：

    目前最常用的DR系统为

    A.CsI+CCD阵列

    B.非晶硅平板探测器

    C.非晶硒平板探测器

    D.多丝正比电离室

    E.计算机X线摄影


    正确答案：B

  • 第2题：

    关于DR探测器的类型，错误的是

    A.非晶硒平板型探测器
    B.非晶硅平板型探测器
    C.碘化铯平板型探测器
    D.多丝正比室扫描DR
    E.CCD摄像机型DR

    答案：B
    解析：
    除B选项外，其余皆属DR探测器类型。

  • 第3题：

    简述电荷耦合器件（CCD）的结构组成，并说明电荷的转移过程。


    CCD是一种半导体器件，在N型或P型硅衬底上生长一层很薄的SiO2，再在SiO2薄层上依次序沉积金属电极，这种规则排列的MOS电容数组再加上两端的输入及输出二极管就构成了CCD芯片，CCD可以把光信号转换成电脉冲信号。每一个脉冲只反映一个光敏元的受光情况，脉冲幅度的高低反映该光敏元受光的强弱，输出脉冲的顺序可以反映光敏元的位置，这就起到图像传感器的作用。

  • 第4题：

    数字X线摄影(DR)不包括

    A.直接转换平板探测器

    B.间接转换平板探测器

    C.多丝正比室探测器

    D.闪烁体+CCD摄像机阵列

    E.线扫描计算机X线摄影


    正确答案：E

  • 第5题：

    利用像管和电荷耦合器可以制作光学耦合型的增强CCD


    正确

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