MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程，其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子，而NMOS管以电子为导电载流子，由于空穴的迁移率比电子低，因此，NMOS电路的工作速比PMOS电路快，而且PMOS使用负电源，与TTL电路不匹配，所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。对吗？

题目

MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程，其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子，而NMOS管以电子为导电载流子，由于空穴的迁移率比电子低，因此，NMOS电路的工作速比PMOS电路快，而且PMOS使用负电源，与TTL电路不匹配，所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。对吗？

相似考题

1.MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。()此题为判断题(对，错)。

2.please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? （威盛笔试题c ircuit design-beijing-03.11.09）

3.To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?

4.场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。

更多“MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程，其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子，而NMOS管以电子为导电载流子，由于空穴的迁移率比电子低，因此，NMOS电路的工作速比PMOS电路快，而且PMOS使用负电源，与TTL电路不匹配，所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。对吗？”相关问题

  • 第1题：

    什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）


    正确答案：
     

  • 第2题：

    在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。

    • A、互补MOS与非门电路
    • B、CMOS与非门电路

    正确答案:A

  • 第3题：

    MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    采用了（）门电路后，其比PMOS和NMOS门电路的功耗更低，速度更快。


    正确答案:CMOS

  • 第5题：

    单极型集成电路可分为（）几种。

    • A、TTL型
    • B、TDK型
    • C、PMOS型
    • D、NMOS型
    • E、CMOS型

    正确答案:C,D,E

  • 第6题：

    单极性集成电路包括（）

    • A、TTL集成电路
    • B、PMOS集成电路
    • C、NMOS集成电路
    • D、CMOS集成电路

    正确答案:B,C,D

  • 第7题：

    下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

    • A、N沟道JFET
    • B、增强~AIPMOS管
    • C、耗尽型NMOS管
    • D、耗尽型PMOS管

    正确答案:B

  • 第8题：

    对于数字表中的PMOS集成电路，检修时应注意将焊接烙铁、测试仪表（）。电路工作时，不科厨的输入端必须根据逻辑要求（）。电路存放时应采用金属屏蔽。


    正确答案:接地；接电源或接地

  • 第9题：

    填空题
    MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。

    正确答案： MOS管栅下半导体表面开始强反型时的栅极电压,正,负
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

    正确答案： 对于PMOS晶体管，通常情况下衬底和源极都接最高电位，衬底偏压，此时不存在衬偏效应。而当PMOS中因各种应用使得源端电位达不到最高电位时，衬底偏压>0，源与衬底的PN结反偏，耗尽层电荷增加，要维持原来的导电水平，必须使阈值电压（绝对值）提高，即产生衬偏效应。
    影响：使得PMOS阈值电压向负方向变大，在同样的栅源电压和漏源电压下其漏源电流减小。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    同宽长比的PMOS和NMOS谁的阈值要大一些？

    正确答案： 同宽长比的PMOS的阈值要大一些
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。
    A

    互补MOS与非门电路

    B

    CMOS与非门电路


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    由下列器件构成的模拟开关中，导通电阻最低的是( )。

    A．CMOS场效应管

    B．PMOS场效应管

    C．NMOS场效应管

    D．二簧继电器


    正确答案：D

  • 第14题：

    下列说法错误的是（）

    • A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路
    • B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路
    • C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高
    • D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
    • E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高

    正确答案:A,C,D

  • 第15题：

    在CMOS电路中，通常包含两个增强型的PMOS管，一个作为驱动管，一个作为负载管。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    按导电类型集成电路可分（）。

    • A、PMOS型
    • B、双极和单极二者兼容型
    • C、CMOS型
    • D、双极型
    • E、单极型

    正确答案:B,D,E

  • 第17题：

    CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）

    • A、微功耗
    • B、高速度
    • C、高抗干扰能力
    • D、电源范围宽

    正确答案:A,C,D

  • 第18题：

    下列门电路工作速度最快的一种是（）。

    • A、TTL
    • B、CMOS
    • C、NMOS
    • D、PMOS

    正确答案:A

  • 第19题：

    下列说法错误的是（）。 

    • A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路
    • B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路
    • C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高
    • D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低
    • E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低

    正确答案:A,C,E

  • 第20题：

    填空题
    现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺，即最基本的器件是由（）和NMOS组成。

    正确答案： PMOS
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    NMOS和PMOS的源漏如何形成的？

    正确答案： NMOS是在P型衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的漏源区；PMOS是在N型衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的漏源区。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    为什么NMOS工艺优于PMOS工艺？

    正确答案： N沟道FET的速度将比P沟道FET快2.5倍
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。

    正确答案： CMOS
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    多选题
    CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）。
    A

    微功耗

    B

    高速度

    C

    高抗干扰能力

    D

    电源范围宽


    正确答案： C,B
    解析： 暂无解析

相关内容