下列各项中,( )是本征半导体。A、N型半导体;B、P型半导体;C、PN结D、纯净的半导体。

题目
下列各项中,( )是本征半导体。

A、N型半导体;

B、P型半导体;

C、PN结

D、纯净的半导体。

相似考题

1.本征半导体是杂质半导体中的一种。

2.什么是本征半导体与非本征半导体？

3.2、关于本征半导体，下列说法哪些是正确的？A．本征半导体的载流子浓度来源于本征激发B．本征半导体，电子浓度等于空穴浓度C．本征半导体的载流子浓度与温度无关D．一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小

4.1、关于本征半导体，下列描述错误的是（）A．本征半导体受到热激发，会产生自由电子；B．本征半导体中，电子和空穴总是成对产生；C．温度越高，本征半导体中电子和空穴浓度越高；D．本征半导体中的电子和空穴浓度不受外界环境影响。

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  • 第1题：

    3、本征半导体是杂质半导体中的一种。


    错误

  • 第2题：

    2、关于杂质半导体，下列描述正确的是（）

    A．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

    B．在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

    C．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

    D．在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。


    在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得 N 型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

  • 第3题：

    N型半导体是在本征半导体中掺杂了 价元素。


    正确

  • 第4题：

    1、下面关于本征半导体的叙述有误的一项是：

    A．本征半导体中电子浓度与空穴浓度相等。

    B．本征半导体中费米能级均处于禁带中线附近。

    C．本征半导体中杂质电离对载流子浓度的影响几乎可以忽略。

    D．在温度较高进入本征激发区后，半导体材料可以看作本征半导体。


    本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体;本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近;本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度;本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降

  • 第5题：

    轻掺杂的N型半导体中本征载流子浓度比重掺杂的N型半导体中本征载流子浓度要低


    空穴

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