A、本征半导体
B、P型半导体
C、N型半导体
D、PN结
第1题:
在直接带隙半导体中,电子吸收光子的能量,可以跃迁到导带。
第2题:
4、对于本征费米能级位置的描述,错误的是 。
A.电子有效质量等于空穴有效质量,本征费米能级位于禁带中央
B.电子有效质量小于空穴有效质量,本征费米能级低于禁带中央
C.状态密度函数与载流子有效质量直接相关
D.本征费米能级位置随状态密度的增大而发生移动
第3题:
以下说法正确的是()
A.施主能级被电子占据时呈电中性
B.受主能级被电子占据时呈电中性
C.P型半导体的费米能级略低于导带底部
D.N型半导体的费米能级略高于价带顶部
第4题:
以下关于“简并半导体”的描述正确的是?
A.n型简并半导体,导带中的电子服从费米分布函数
B.p型简并半导体,价带中的空穴服从费米分布函数
C.费米能级距离带边(导带底或价带顶)很近,甚至进入导带或价带
D.n型简并半导体,导带中的电子服从玻耳兹曼分布函数
E.p型简并半导体,价带中的空穴服从玻耳兹曼分布函数
F.费米能级位于禁带内,且与导带底或价带顶的距离大于2k0T
第5题:
空带上能量最低的允带称为导带。