光电二极管(PIN)具有雪崩效应。()此题为判断题(对，错)。

题目
光电二极管(PIN)具有雪崩效应。()

此题为判断题(对，错)。

相似考题

1.光电二极管(PIN)具有雪崩效应。A．错误B．正确

2.简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应。

3.PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. GPIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. GC. G=1D. G=0

4.试比较PN结光电二极管、PIN光电二极管以及APD雪崩光电二极管的优缺点。

参考答案和解析
参考答案：错误
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  • 第1题：

    半导体光电检测器有()。

    A.PIN光电二极管
    B.APD雪崩光电二极管
    C.LED
    D.LD

    答案：A,B
    解析：

  • 第2题：

    外光电效应（光电倍增管）是入射光能量大，能将光敏材料的的内部电子全部激发出来。典型器件（） 。

    A．APD雪崩光电二极管

    B．PIN光电二极管

    C．LED

    D．LD


    错误

  • 第3题：

    1、光纤通信系统中常用的光检测器主要有（）。

    A．激光器、发光二极管

    B．PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管

    C．分布反馈激光器、PIN光电二极管

    D．PIN光电二极管、半导体激光器LD


    雪崩光电二极管;PIN光电二极管

  • 第4题：

    简述雪崩光电二极管APD的雪崩倍增效应。


    在二极管的P-N结上加上高反向电压形成的，此时在结区形成一个强电场，在高场区内光生载流子被强电场加速，获得高的动能，与晶格的原子发生碰撞，使价带的电子得到能量，越过禁带到导带，产生新的电子-空穴对，新产生的电子-空穴对在强电场中又被加速，再次碰撞，又激发出新的电子-空穴对…如此下去，像雪崩一样的发展，从而使光电流在管子内部即获得了倍增。

  • 第5题：

    外光电效应（光电倍增管）是入射光能量大，能将光敏材料的的内部电子全部激发出来。典型器件（） 。

    A．LED

    B．LD

    C．PIN光电二极管

    D．APD雪崩光电二极管


    错误

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