晶体三极管的反向击穿电压是基极开路时e、c两极之间的击穿电压。()此题为判断题(对，错)。

题目
晶体三极管的反向击穿电压是基极开路时e、c两极之间的击穿电压。()

此题为判断题(对，错)。

相似考题

1.晶体管的集电极发射极击穿电压BUCEO是指基极开路时()的()允许电压值,BUCEO随温度的增高()。

2.2、发射极开路时，使 I’CBO→∞ 时的 |VBC| 称为共基极集电结雪崩击穿电压，记为 BVCBO 。

3.5、乙类双电源互补对称功率放大电路中，功率BJT管子基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压应大于2VCC。

4.当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压时，其反向电流迅速增加。

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  • 第1题：

    在功放管的极限参数中，集电极最大允许耗散功率Pcm是集电极最大电流Icm与基极开路时集电极-发射极间反向击穿电压VBR（CEO）的乘积。（）


    ×

  • 第2题：

    27、划分BJT输出特性曲线上的安全工作区域，需要考虑的因素有（）。

    A．集电极最大允许电流

    B．基极最大允许电流

    C．集电结最大允许耗散功率

    D．发射结最大允许耗散功率

    E．基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压

    F．集电极开路时，发射极-基极间的反向击穿电压

    G．发射极开路时，集电极-基极间的反向击穿电压


    集电极最大允许电流;集电结最大允许耗散功率;基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压

  • 第3题：

    参数UBR表示的是 。

    A．反向电压

    B．击穿电压

    C．击穿反向电压

    D．反向击穿电压


    正确

  • 第4题：

    二极管的反向击穿电压大小与温度有关，温度升高反向击穿电压增大。


    错误

  • 第5题：

    发射极开路时，使 I’CBO→∞ 时的 |VBC| 称为共基极集电结雪崩击穿电压，记为 BVCBO 。


    C

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