需要一个16MB×8位的存储器,现有存储芯片为1MB×8位。则需要(1)个存储器芯片。存储器芯片的地址长度需要(2)位,主存储器的地址长度需要(3)位。A.16B.8C.32D.24

题目

需要一个16MB×8位的存储器,现有存储芯片为1MB×8位。则需要(1)个存储器芯片。存储器芯片的地址长度需要(2)位,主存储器的地址长度需要(3)位。

A.16

B.8

C.32

D.24


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    A.16、10

    B.32、14

    C.16、14

    D.32、10


    存储器容量为:214×8=16K×8位。需要128片1K×1位RAM芯片组成。A9~ A0作为芯片本身的地址线;A13~ A10作为片选地址,采用4~16译码器,16个输出分别作为16组芯片的片选信号。

  • 第2题:

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    C

  • 第3题:

    用一个256K x 16位的存储芯片组成一个8M x 32位的存储器,存储器按字编址,试回答以下问题: 1)该存储器的数据线数和地址线数分别为多少? 2)共需要几片这样的存储芯片? 3)说明每根地址线的作用。


    解:(1) 用16K×8位的DRAM芯片构成64K×32位存储器,需要用16个芯片,其中每4片为一组构成16K×32位——进行字长位数扩展(一组内的4个芯片只有数据信号线不互连——分别接D0∼D7、D8∼D15、D16∼D23和D24∼D31,其余同名引脚互连),需要低14位地址(A0∼A13)作为模块内各个芯片的内部单元地址——分成行、列地址两次由A0∼A6引脚输入;然后再由4组进行存储器容量扩展,用高两位地址A14、A15通过2:4译码器实现4组中选择一组。画出逻辑框图如下。(2) 设刷新周期为2ms,并设16K×8位的DRAM结构是128×128×8存储阵列,则对所有单元全部刷新一遍需要128次(每次刷新一行,共128行):若采用集中式刷新,则每2ms中的最后128×0.5μs=64μs为集中刷新时间,不能进行正常读写,即存在64μs的死时间;若采用分散式刷新,则每1μs只能访问一次主存,而题目要求CPU在1μS内至少要访问一次,也就是说访问主存的时间间隔越短越好,故此方法也不是最适合的。比较适合采用异步式刷新。采用异步刷新方式,则两次刷新操作的最大时间间隔为15.625μs,可取15.5μs;对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间为:15.5μs×128=1.984ms;采用这种方式,每15.5μs中有0.5μs用于刷新,其余的时间用于访存(大部分时间中1μs可以访问两次内存)。

  • 第4题:

    一个存储器,其地址为14位,每个存储单元长度为8位,若用1K×4位SRAM芯片来组成该存储器,则需要_______片芯片,选择芯片时需要_______位地址。

    A.16、10

    B.32、14

    C.16、14

    D.10


    32,14

  • 第5题:

    1、有一个具有20位地址和32位字长的存储器,问: (1) 该存储器能存储多少个字节的信息? (2) 如果存储器由512K×8位SRAM芯片组成,需要多少芯片? (3) 需要多少位地址作芯片选择?


    解: (1) 该存储器能存储: 4MB (2) 需要 8 ( 3 )用 512K*8 位的芯片构成字长为 32 位的存储器,则需要每 4 片为一组进行字 长的位数扩展,然后再由 2 组进行存储器容量的扩展。所以只需一位最高位地址进行芯片选择。