下列程序执行后,SI寄存器中的内容是______。
MOV SI,-1
MOV CL,4
SAL SI,CL
AND SI,5FF0H
OR SI,9FOFH
NOT SI
第1题:
LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃,采用热分解法,反应方程式为:()。
A.SiCl4→Si+2Cl2
B.SiH4 →Si+2H2
C.Si3N4→3Si+2N2
D.SiH2Cl2→Si+Cl2+H2
第2题:
把数据100存入[SI]指明的存储单元中,可以是下面哪条指令。
A.MOV [SI], 100
B.MOV BYTE PTR [SI], 100
C.MOV 100,BYTE PTR [SI]
D.MOV [SI], BYTE PTR 100
第3题:
已知(DS)= 1234H,(SI)= 124H,(12464H)= 30ABH,(12484H)= 464H。 LEA SI, [SI] MOV AX, [SI] MOV [SI+22H], 1200H LDS SI, [SI+20H] ADD AX, SI 上述程序段执行后:(DS)=________,(SI)=________,(AX)=________
第4题:
LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃,采用热分解法,反应方程式为:()。
A.SiCl4→Si+2Cl2
B.Si3N4→3Si+2N2
C.SiH4 →Si+2H2
D.SiH2Cl2→Si+Cl2+H2
第5题:
以下各指令中正确的是()。
A.MOV ES,2D00H
B.MOV [DI],[SI]
C.MOV DI,[SI]
D.MOV IP,[SI]
第6题:
指出下列指令中操作数的寻址方式 (1) MOV BX, 20H (2) MOV AX, [1245H] (3) MOV DX, [SI] (4) MOV 100[BX], AL (5) MOV [BP][SI], AX (6) MOV [BX+100][SI], AX (7) MOV [1800H], AL (8) MOV [SI], AX