参考答案和解析
正确答案:2000H
2000H
更多“下列程序执行后,SI寄存器中的内容是______。 MOV SI,-1 MOV CL,4 SAL SI,CL AND SI,5FF0H ”相关问题
  • 第1题:

    LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃,采用热分解法,反应方程式为:()。

    A.SiCl4→Si+2Cl2

    B.SiH4 →Si+2H2

    C.Si3N4→3Si+2N2

    D.SiH2Cl2→Si+Cl2+H2


    B

  • 第2题:

    把数据100存入[SI]指明的存储单元中,可以是下面哪条指令。

    A.MOV [SI], 100

    B.MOV BYTE PTR [SI], 100

    C.MOV 100,BYTE PTR [SI]

    D.MOV [SI], BYTE PTR 100


    MOV BYTE PTR [SI], 100

  • 第3题:

    已知(DS)= 1234H,(SI)= 124H,(12464H)= 30ABH,(12484H)= 464H。 LEA SI, [SI] MOV AX, [SI] MOV [SI+22H], 1200H LDS SI, [SI+20H] ADD AX, SI 上述程序段执行后:(DS)=________,(SI)=________,(AX)=________


    1200H;464H;6156H

  • 第4题:

    LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃,采用热分解法,反应方程式为:()。

    A.SiCl4→Si+2Cl2

    B.Si3N4→3Si+2N2

    C.SiH4 →Si+2H2

    D.SiH2Cl2→Si+Cl2+H2


    SiH 4 →Si+2H 2

  • 第5题:

    以下各指令中正确的是()。

    A.MOV ES,2D00H

    B.MOV [DI],[SI]

    C.MOV DI,[SI]

    D.MOV IP,[SI]


    OUT DX,AX

  • 第6题:

    指出下列指令中操作数的寻址方式 (1) MOV BX, 20H (2) MOV AX, [1245H] (3) MOV DX, [SI] (4) MOV 100[BX], AL (5) MOV [BP][SI], AX (6) MOV [BX+100][SI], AX (7) MOV [1800H], AL (8) MOV [SI], AX


    ADD AX,[BX][DI]