下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是A.Ⅰ和ⅡB.Ⅱ和ⅢC.Ⅲ和ⅣD.Ⅰ和Ⅳ

题目

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


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  • 第1题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,

    ①SRAM比DRAM存储电路简单

    ②SRAM比DRAM成本高

    ③SRAM比DRAM速度快

    ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

    其中哪两个叙述是错误的?

    A.①和②

    B.②和③

    C.③和④

    D.①和④


    正确答案:D
    解析:DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息,电容上的电荷会泄露,需要定时给电容充电,通常,DRAM每隔一定时间间隔将数据读出并写入,这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成,利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1,来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新,只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低,速度慢。

  • 第2题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:①SRAM比DRAM存储电路简单。②SRAM比DRAM成本高。③SRAM比DRAM速度快。④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新。其中哪两个叙述是错误的?

    A.①和②

    B.②和③

    C.③和④

    D.①和④


    正确答案:D
    解析:DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息,电容上的电荷会泄露,需要定时给电容充电,通常,DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入,这个过程称为 DRAM的刷新.SRAM由晶体管组成,利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1,来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新,只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低,速度慢。

  • 第3题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述

    Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单

    Ⅱ.DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ.DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新

    其中正确的是( )。

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:D

  • 第4题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中( )叙述是错误的。

    ①SRAM比DRAM存储电路简单

    ②SRAM比DRAM成本高

    ③SRAM比DRAM速度快

    ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

    A.①和②

    B.②和③

    C.③和④

    D.①和④


    正确答案:D

  • 第5题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

    Ⅰ.DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ.DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ.DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ.DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新

    其中哪两个叙述是正确的?

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:D
    解析:本题比较全面地考查了DRAM和SRAM的性质。DRAM是动态的,需要经常刷新,其集成度较高,因此成本较低,适合大容量的存储器。但是DRSM在数据读出和写入的时候需要刷新时间,而SRAM在存储数据的时候不需要自动刷新,只有在执行写命令时才发生刷新操作,因此工作速度快。所以Ⅱ和Ⅲ是错误的。