A.两个背靠背的PN结
B.自由电子与空穴都参与导电
C.有三个掺杂浓度不同的区域
D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
第1题:
晶体管放大条件是发射结反偏,集电结正偏。()
第2题:
【填空题】晶体管的电流放大作用的外部条件是: 。
第3题:
2、NPN晶体管处于放大状态的条件是UBB>UBE(on),且UCEQ>UBE(on) 。
第4题:
NPN晶体管处于放大状态的条件是UBB>UBE(on),且UCEQ>UBE(on) 。
第5题:
给放大电路设置合适直流工作点的目的是___C___。
A.使得输入信号能够有效的送给晶体管
B.使得输出信号能够有效的送给负载
C.保证晶体管始终工作在放大区
D.早期晶体管工艺不成熟时的方法,目前已可不用这种方法