A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
E.空穴
F.自由电子
第1题:
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____,而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 (A、温度, B、掺杂工艺, C、杂质浓度)
A.AB
B.BC
C.CA
D.CB
第2题:
1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(),而少数载流子的浓度与()有很大关系。
A.杂质浓度;环境温度;
B.环境温度;杂质浓度;
C.杂质浓度;外加电场;
D.杂质价态;杂质浓度;
第3题:
26、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。
第4题:
4、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____,而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 A、温度, B、掺杂工艺, C、杂质浓度
A.AB
B.AC
C.AD
D.CA
第5题:
在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____,而少数载流子的浓度与____关系十分密切。 A、温度, B、掺杂工艺, C、杂质浓度
A.AB
B.AC
C.AD
D.CA