第1题:
下述说法中,正确的有:
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体(n或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参与导电,所以, 本征半导体导电性能比杂质半导体好#B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电#C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近导带的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到导带中去,大大提高了半导体导电性能#D.p型半导体的导电机制完全决定于满带中空穴的运动第2题:
P型杂质半导体带正电,N型杂质半导体带负电。
第3题:
对于半导体,以下说法正确的是()。
A.P型半导体带正电
B.N型半导体带负电
C.本征半导体对外不显电性
D.杂质半导体对外不显电性
E.杂质半导体的电性与其掺杂类型有关
第4题:
2、关于杂质半导体,下列描述正确的是()
A.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;
B.在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子;
C.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后空穴为多子,电子为少子;
D.在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子。
第5题:
下述说法中,正确的是
A.N型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能。
B.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(N型或P型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好。
C.N型半导体的导电性能优于P型半导体,因为N型半导体是负电子导电,P型半导体是正离子导电。
D.P型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。