锗晶体管的导通压降|UBE|约为 。A．0.1VB．0.3VC．0.5VD．0.7V

题目

锗晶体管的导通压降|UBE|约为 。

A．0.1V

B．0.3V

C．0.5V

D．0.7V

相似考题

1.二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。

2.晶闸管有()个PN节,导通时,阳极和阴极的管压降约为()V。此题为判断题(对，错)。

3.硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

4.二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

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  • 第1题：

    设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（　　）。


    A． VT1饱和，VT2饱和
    B． VT1截止，VT2饱和
    C． VT1截止，VT2放大
    D． VT1放大，VT2放大

    答案：C
    解析：
    二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结正向导通压降为0.7V，所以：
    图a）中，由于参考点电位为0.3V，1V的基极电压不足以使其导通，所以VT1截止，即：UE＞UB＞UC，三极管截止。
    图b）中，UB＝6V，UE＝6－0.7＝5.3V，IE＝（6－0.7）/1000＝5.3mA，UC＝12－5.3＝6.7V
    则：UC＞UB＞UE，即VT2处于放大状态。

  • 第2题：

    在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（）。

    • A、0.1～0.3V
    • B、0.4～0.5V
    • C、0.6～0.8V
    • D、0.9～1.0V

    正确答案:A

  • 第3题：

    二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）


    正确答案:0.6～0.8V；0.2～0.4V

  • 第4题：

    晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。


    正确答案:正反；反向；0.7V；0.2V

  • 第5题：

    硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（）


    正确答案:正确

  • 第6题：

    常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。


    正确答案:0.6（或0.7）；0.2（或0.3）

  • 第7题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第8题：

    当温度升高时，晶体管的参数β增大，ICBO（），导通电压UBE减小。


    正确答案:增大

  • 第9题：

    在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第10题：

    二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。


    正确答案:0.7V；0.3 V

  • 第11题：

    普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。


    正确答案:0.6~0.8；0.7；0.2~0.3；0.2；1~2.5

  • 第12题：

    填空题
    锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。

    正确答案： 0.2V,0.1V
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。

    • A、为零
    • B、硅管0.7V，锗管0.3V
    • C、等于电路电压
    • D、电压不变

    正确答案:B

  • 第14题：

    晶闸管导通后，本身的压降约为（）V左右，称为通态平均电压。

    • A、0.5
    • B、0.7
    • C、1
    • D、3

    正确答案:C

  • 第15题：

    二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。


    正确答案:正向导通；反向截止；0.7

  • 第16题：

    实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。


    正确答案:0.7V；0.2V

  • 第17题：

    二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。

    • A、0.3
    • B、0.5
    • C、0.7
    • D、0.9

    正确答案:A

  • 第18题：

    硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。


    正确答案:0.7；0.2

  • 第19题：

    硅管的正向导通压降大于锗管。


    正确答案:正确

  • 第20题：

    在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V

  • 第21题：

    硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）


    正确答案:大

  • 第22题：

    在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第23题：

    锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。


    正确答案:0.2V；0.1V

  • 第24题：

    填空题
    常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

    正确答案： 0.6（或0.7）,0.2（或0.3）
    解析： 暂无解析

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