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  • 第1题:

    当环境温度升高时,二极管的反向电流将()

    A、增大

    B、减小

    C、不变


    参考答案B

  • 第2题:

    增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

    A、不能形成导电沟道

    B、漏极电压为零

    C、能够形成导电沟道

    D、漏极电流不为零


    参考答案:A

  • 第3题:

    场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。

    A、栅极电流

    B、栅源电压

    C、源极电压

    D、源极电流


    参考答案:B

  • 第4题:

    描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。

    • A、漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量
    • B、漏极电流,栅极电压,以漏-源电压为参变量
    • C、基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量
    • D、漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量

    正确答案:B

  • 第5题:

    当温度升高,硅二极管的反向饱和电流将()。

    • A、减小
    • B、不变
    • C、增加
    • D、取决于外加电压值

    正确答案:C

  • 第6题:

    场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。


    正确答案:正确

  • 第7题:

    硅稳压二极管的稳定电压U,与温度有关,当温度变化时,U将随着变化。


    正确答案:正确

  • 第8题:

    当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(),正向压降将()。


    正确答案:增大;减小

  • 第9题:

    当温度升高后,二极管的正向电压(),反向电流()。


    正确答案:减小;增大

  • 第10题:

    随着温度的升高,二极管反向电流几乎不变即与温度无关。


    正确答案:错误

  • 第11题:

    单选题
    当二极管反向接法时,反向电流随()变化较大。
    A

    电压

    B

    温度

    C

    电阻

    D

    电容


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    单选题
    场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。()
    A

    栅极电流

    B

    栅源电压

    C

    漏源电压

    D

    栅漏电压


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    功率MOSFET的极限参数指的是( )。

    A、最大漏极电流

    B、最小漏极电流

    C、最大许用漏-源电压

    D、最小许用漏-源电压


    正确答案:A,C

  • 第14题:

    电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


    参考答案:P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

  • 第15题:

    场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。

    A.原极;

    B.漏极;

    C.栅极;


    参考答案:B

  • 第16题:

    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。


    正确答案:错误

  • 第17题:

    当温度升高后,二极管的正向电压减小,反向电流增大。


    正确答案:正确

  • 第18题:

    当二极管反向接法时,反向电流随()变化较大。

    • A、电压
    • B、温度
    • C、电阻
    • D、电容

    正确答案:B

  • 第19题:

    场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。

    • A、原极;
    • B、漏极;
    • C、栅极;

    正确答案:B

  • 第20题:

    场效应管是通过()改变漏极电流的。

    • A、栅极电流
    • B、栅源电压
    • C、漏源电压

    正确答案:B

  • 第21题:

    PN结的反向漏电流()而急剧增大。

    • A、随着电压的升高
    • B、随着电压的降低
    • C、随着温度的升高
    • D、随着温度的降低

    正确答案:C

  • 第22题:

    填空题
    在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。

    正确答案: 沟道夹断,载流子漂移速度的饱和
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    判断题
    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。
    A

    B


    正确答案:
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    多选题
    功率MOSFET的极限参数指的是()。
    A

    最大漏极电流

    B

    最小漏极电流

    C

    最大许用漏-源电压

    D

    最小许用漏-源电压


    正确答案: A,B
    解析: 暂无解析