解释setup和hold time violation,画图说明,并说明解决办法。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
第1题:
please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? (威盛笔试题c ircuit design-beijing-03.11.09)
第2题:
画出CMOS的图,画出tow-to-one mux gate。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
第3题:
一个状态机的题目用verilog实现(不过这个状态机画的实在比较差,很容易误解的)。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
第4题:
Asic的design flow。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
第5题:
cache的主要部分什么的。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
第6题:
说出你的理想。说出你想达到的目标。 题目是英文出的,要用英文回答。(威盛VIA
2003.11.06 上海笔试试题)
第7题:
解释setup time和hold time的定义和在时钟信号延迟时的变化。(未知)
第8题:
please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and
explain which input has faster response for output rising edge.(less delay
time)。(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)
第9题:
简述电容器差压保护动作原理,并画图说明?
电容器的差压保护就是电压差动保护,原理就象电路分析中串联电阻的分压原理。是通过检测同相电容器两串联段之间的电压,并作比较。当设备正常时,两段的容抗相等,各自电压相等,因此两者的压差为零。当某段出现故障时,由于容抗的变化而使各自分压不再相等而产生压差,当压差超过允许值时,保护动作。保护熔丝现代电容器组的每台电容器上都装有单独的熔丝保护,这种熔丝结构简单,安装方便,只要配合得当,就能够迅速将故障电容器切除,避免电容器的油箱发生爆炸,使附近的电容器免遭波及损坏。此外,保护熔丝还有明显的标志,动作以后很容易发现,根据标志便可容易地查出故障的电容器,以便更换。
略
第10题:
笔试法最关键的环节是()
第11题:
什么是Setup和Hold时间时间?
第12题:
第13题:
please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and explain which input has faster response for output rising edge.(less delay time)。(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)
第14题:
用逻辑们画出D触发器。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
第15题:
Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out which nodes can store data and which node is word line control? (威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)
第16题:
Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process.(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)
第17题:
C语言实现统计某个cell在某.v文件调用的次数(这个题目真bt) (威盛VIA2003.11.0
6 上海笔试试题)
第18题:
什么是Setup 和Holdup时间?(汉王笔试)
第19题:
给了reg的setup,hold时间,求中间组合逻辑的delay范围。(飞利浦-大唐笔试)
Delay < period - setup – hold
第20题:
Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out
which nodes can store data and which node is word line control? (威盛笔试题
circuit design-beijing-03.11.09)
第21题:
任意列举三种常用铁路隧道开挖(钻爆)方法,并画图简要说明。
第22题:
想完成一次有效的笔试,首先应该做什么?()
第23题:
制定笔试计划
规划笔试目标
编制笔试题
笔试试题的运用