更多“三极管三个区工艺特点各不相同:其中()区掺杂浓度最高,()区最薄,()区结面积最大。备注:用汉字作答,多空答案用逗号隔开。)”相关问题
  • 第1题:

    晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

    A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度

    B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度

    C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏

    D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏


    参考答案:A

  • 第2题:

    关于三极管,不正确的描述是()

    A.基区薄且低掺杂

    B.发射区高掺杂

    C.发射结面积大

    D.集电结面积大


    答案:B

  • 第3题:

    晶体三极管的输出特性的工作状态分为三个区,发射结()偏压是截止区,集电节()偏压是饱和区,欲使三极管具有放大作用,应使三极管工作在输出特性上的()


    正确答案:正向;反向;放大区

  • 第4题:

    三极管有三个极,三个区,三个结。


    正确答案:错误

  • 第5题:

    三极管具有()的特点。

    • A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度
    • B、基区非常薄
    • C、集电区掺杂浓度较小,集电结的面积比发射结的面积大
    • D、以上三项

    正确答案:D

  • 第6题:

    晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

    • A、内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
    • B、内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
    • C、外部条件,发射结正偏,集电结反偏
    • D、外部条件,发射结反偏。集电结反偏

    正确答案:A

  • 第7题:

    晶体三极管有两个PN结,分别是()和(),分三个区域:()区、()区和()区。晶体管的三种工作状态是()、()和()。


    正确答案:发射结;集电结;饱和;放大;截止;放大状态;饱和状态;截止状态

  • 第8题:

    根据晶体管的结构特点,()区的掺杂浓度最低。()区的掺杂浓度最高。


    正确答案:基;发射

  • 第9题:

    关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为()

    • A、基区很薄
    • B、基区掺杂浓度最高
    • C、发射区掺杂浓度最高
    • D、发射结的结面积小于集电结的结面积

    正确答案:B

  • 第10题:

    以下属于三极管放大的外部条件是()

    • A、发射区掺杂浓度高
    • B、集电结反偏
    • C、基区薄且掺杂浓度低
    • D、集电结面积大

    正确答案:B

  • 第11题:

    三极管最薄的区是()。

    • A、发射区
    • B、集电区
    • C、基区

    正确答案:C

  • 第12题:

    三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。


    正确答案:错误

  • 第13题:

    晶体管能够放大的内部条件是()。

    A.两个背靠背的PN结

    B.自由电子与空穴都参与导电

    C.有三个掺杂浓度不同的区域

    D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大


    参考答案:D

  • 第14题:

    晶体三极管有NPN和PNP之分,它们有二个PN结。按输入特性分为三个区:即放大区、截止区和饱和区。

    A

    B



  • 第15题:

    在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()。

    • A、基区
    • B、集电区
    • C、发射区
    • D、饱和区

    正确答案:C

  • 第16题:

    三极管有三个区、()极、()个结。


    正确答案:三个;两

  • 第17题:

    晶体三极管有NPN和PNP之分,它们有二个PN结。按输入特性分为三个区:即放大区、截止区和饱和区。


    正确答案:错误

  • 第18题:

    晶体三极管输出特性中包括三个工作区,分别是()区、()区、()区。


    正确答案:放大;截止;饱和

  • 第19题:

    由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同,因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。


    正确答案:正确

  • 第20题:

    半导体三极管的结构分为三个区,分别是()区、()区、()区。


    正确答案:发射;基;集电

  • 第21题:

    三极管能放大的内因是:发射区掺杂浓度()、基区宽度()且杂质浓度()、集电结面积();外部条件是:发射结处于()偏置,集电结处于()偏置。


    正确答案:高;窄;低;大;正向;反向

  • 第22题:

    晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。


    正确答案:正确

  • 第23题:

    晶体三极管有()。

    • A、三个极、三个区、两个结
    • B、两个极、三个区、三个结
    • C、三个极、两个区、三个结
    • D、两个极、三个区、两个结

    正确答案:A

  • 第24题:

    填空题
    由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题()。

    正确答案: 大,衬底,严重
    解析: 暂无解析