三极管三个区工艺特点各不相同:其中()区掺杂浓度最高,()区最薄,()区结面积最大。备注:用汉字作答,多空答案用逗号隔开。)
第1题:
A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏
D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏
第2题:
A.基区薄且低掺杂
B.发射区高掺杂
C.发射结面积大
D.集电结面积大
第3题:
晶体三极管的输出特性的工作状态分为三个区,发射结()偏压是截止区,集电节()偏压是饱和区,欲使三极管具有放大作用,应使三极管工作在输出特性上的()
第4题:
三极管有三个极,三个区,三个结。
第5题:
三极管具有()的特点。
第6题:
晶体三极管放大作用需满足的条件有()。
第7题:
晶体三极管有两个PN结,分别是()和(),分三个区域:()区、()区和()区。晶体管的三种工作状态是()、()和()。
第8题:
根据晶体管的结构特点,()区的掺杂浓度最低。()区的掺杂浓度最高。
第9题:
关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为()
第10题:
以下属于三极管放大的外部条件是()
第11题:
三极管最薄的区是()。
第12题:
三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
第13题:
A.两个背靠背的PN结
B.自由电子与空穴都参与导电
C.有三个掺杂浓度不同的区域
D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
第14题:
晶体三极管有NPN和PNP之分,它们有二个PN结。按输入特性分为三个区:即放大区、截止区和饱和区。
A对
B错
第15题:
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()。
第16题:
三极管有三个区、()极、()个结。
第17题:
晶体三极管有NPN和PNP之分,它们有二个PN结。按输入特性分为三个区:即放大区、截止区和饱和区。
第18题:
晶体三极管输出特性中包括三个工作区,分别是()区、()区、()区。
第19题:
由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同,因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
第20题:
半导体三极管的结构分为三个区,分别是()区、()区、()区。
第21题:
三极管能放大的内因是:发射区掺杂浓度()、基区宽度()且杂质浓度()、集电结面积();外部条件是:发射结处于()偏置,集电结处于()偏置。
第22题:
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
第23题:
晶体三极管有()。
第24题: