刻蚀方法有哪些?()A.化学刻蚀B.离子刻蚀C.电解刻蚀D.以上均不是

题目
刻蚀方法有哪些?()

A.化学刻蚀

B.离子刻蚀

C.电解刻蚀

D.以上均不是

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1.9、常见的干法刻蚀方法主要包括： 。A．等离子体刻蚀B．离子铣C．反应离子刻蚀D．氧化刻蚀

2.在半导体制造工艺中有干法刻蚀和湿法刻蚀两种基本的刻蚀工艺。前者是小尺寸下刻蚀器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情况下。

3.1、干法刻蚀技术的类型有A．物理性刻蚀B．化学性刻蚀C．物理化学性刻蚀D．氢氟酸溶液

4.4、常见的干法刻蚀方法主要包括A．等离子体刻蚀B．离子铣C．反应离子刻蚀D．湿法刻蚀

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  • 第1题：

    晶体硅常用的刻蚀方法有干法刻蚀和湿法刻蚀（）


    湿法刻蚀 干法刻蚀

  • 第2题：

    干法刻蚀过程常见的终点检测方法有哪些？简要说明原理


    电动机电流法;光学干涉法;红外法

  • 第3题：

    什么是干法刻蚀？干法刻蚀相比于湿法腐蚀的优点有哪些？


    把硅片置于气态产生的等离子体，等离子体中的带正电离子物理轰击硅片表面，等离子体中的反应粒子与硅片表面发生化学反应，从而去除暴露的表面材料。 干法刻蚀用物理和化学方法，可实现各向异性刻蚀，能实现图形的精确转移。干法刻蚀是集成电路刻蚀工艺的主流技术，广泛用于有图形刻蚀、回蚀和部分材料去除工艺。 把硅片置于液体化学试剂，化学腐蚀液与硅片表面发生化学反应，从而去除暴露的表面材料。湿法刻蚀用化学方法，一般是各向同性刻蚀，不能实现图形的精确转移。湿法刻蚀基本只用于部分材料去除工艺。

  • 第4题：

    1. 描述光刻过程的8个步骤。 2. 刻蚀的作用是什么？刻蚀分为哪两种方法？什么是刻蚀速率、刻蚀的均匀性、刻蚀的选择性。


    1气相成底膜：第一步是清洗、脱水和硅片表面成底膜处理。 2旋转涂胶：完成底膜后，硅片要立即采用旋转涂膜的方法涂上液相光刻胶材料。 3软烘：光刻胶被涂到硅片表面后，必须要经过软烘去除光刻胶中的溶剂。 4对准和曝光：掩膜版与涂了胶的硅片上的正确位置对准。 5曝光后烘焙：对于深紫外（duv）光刻胶在100℃到110℃的热板上进行曝光后烘焙是必要的。 6显影：光刻胶上的可溶解区域被化学显影剂溶解，将可见的岛或者窗口图形留在硅片表面。 7坚膜烘焙：显影后的热烘指的就是坚膜烘焙，提高光刻胶对硅片表面的粘附性。 8显影后检查：一旦光刻胶在硅片上形成图形，就要进行检查以确定光刻胶图形的质量。

  • 第5题：

    用化学或物理的方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，称为刻蚀。


    灭菌

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