关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是A、被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B、半导体、荧光体3种C、AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D、探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E、形状、数量应根据摄影部位选择

题目

关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是

A、被照体很薄时，AEC也可立即切断X线

B、半导体、荧光体3种

C、AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关

D、探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样

E、形状、数量应根据摄影部位选择

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1.关于电离室控时自动曝光控制叙述错误的是A、利用气体的电离效应B、X线强度大时，电离电流大C、X线强度大时，曝光时间长D、电容充电电流与X线曝光量成反比E、电离电流小时，曝光时间长

2.关于X线信息的传递叙述错误的是A、X线是信息的载体B、被照体可作为信息源C、被照体因素不包括组织器官厚度D、信息的质与量取决于被照体因素及射线因素E、增感屏可将X线转换为荧光分布

3.下列关于自动曝光控制的叙述，错误的是A.可采用荧光体型探测器B.可采用电离室型探测器C.可减少人为条件选择不当的失误D.可自动切断X线的产生E.多在一钮制设备中使用

4.关于自动曝光控制(AEC)的解释，错误的是A、根据被照体厚薄预先确定曝光量B、有电离室式探测器C、AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D、有半导体式探测器E、探测器的采光野位置应根据摄影部位选择

更多“关于自动曝光量控制(AEC)的叙述,错误的是A、被照体很薄时,AEC也可立即切断X线B、半导体、荧光体3种C ”相关问题

  • 第1题：

    关于电离室控时自动曝光控制,下列叙述错误的是

    A.利用气体的电离效应

    B.X线强度大时，电离电流大

    C.X线强度大时，曝光时间长

    D.电容充电电流与X线曝光量呈反比

    E.电离电流小时，曝光时间长


    正确答案：D

  • 第2题：

    关于高千伏摄影选用设备及条件的叙述,错误的是

    A、选用150kV管电压的X线机

    B、选用低栅比滤线器

    C、选用密纹滤线栅

    D、可用空气间隙效应代替滤线栅

    E、采用自动曝光控制(AEC)


    参考答案：B

  • 第3题：

    关于高千伏摄影选用设备及条件的叙述，错误的是

    A.选用150kV管电压的X线机
    B.选用低栅比滤线器
    C.选用密纹滤线栅
    D.可用空气间隙效应代替滤线栅
    E.采用自动曝光控制(AEC)

    答案：B
    解析：
    选用高栅比滤线器。

  • 第4题：

    有关中心线、照射野的叙述，错误的是

    A、X线束入射于被照体的曝光面的大小称照射野

    B、摄影时照射野应缩小到能容下被检部位的标度

    C、照射野的大小大多用遮线器控制

    D、来自中心部分的X线为中心线

    E、中心线必须垂直于被照体中心


    参考答案：E

  • 第5题：

    关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是

    A．被照体很薄时，AEC也可立即切断X线

    B．探测器有电离室式、半导体、荧光体三种

    C．AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关

    D．探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样

    E．探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择


    正确答案：B
    B。自动曝光控时分为光电管自动曝光控时和电离室自动曝光控时两种方式。

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