属于DR成像直接转换方式的部件是
A.闪烁体+CCD摄像机阵列
B.非晶硒平板探测器
C.碘化铯+非晶硅探测器
D.半导体狭缝线阵探测器
E.多丝正比电离室
第1题:
属于DR成像间接转换方式的部件是
A.增感屏
B.非晶硒平板探测器
C.碘化铯+非晶硅探测器
D.半导体狭缝线阵探测器
E.多丝正比电离室
第2题:
属于DR成像间接转换方式的部件是()
第3题:
属于DR成像间接转换方式的部件是()
第4题:
应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是()
第5题:
非晶硒
碘化铯非晶硅
氧化钆非晶硅
第6题:
非晶硒
碘化铯非晶硅
氧化钆非晶硅
CCD
第7题:
非晶硅
碘化铯
二极管
闪烁晶体
非晶硒
第8题:
闪烁体+CCD摄像机阵列
非晶硒平板探测器
碘化铯+非晶硅探测器
半导体狭缝线阵探测器
多丝正比电离室
第9题:
碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路
碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路
硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路
非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路
碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路
第10题:
非晶硅
非晶硒
碘化铯
成像板
增感屏
第11题:
闪烁体
非晶硒平板探测器
CCD摄像机阵列
碘化铯+非晶硅探测器
半导体狭缝线阵列探测器
第12题:
碘化铯构成的闪烁体层
CCD层
信号读出电路
石英玻璃衬体
非晶硅薄膜晶体管阵列层
第13题:
属于DR成像直接转换方式的是()
第14题:
属于DR成像直接转换方式的部件是()
第15题:
DR成像设备类型包括()。
第16题:
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()
第17题:
增感屏
非晶硒平板探测器
碘化铯+非晶硅探测器
半导体狭缝线阵探测器
多丝正比电离室
第18题:
非晶硒
碘化铯非晶硅
氧化钆非晶硅
CCD
第19题:
非晶硒平板型探测器
非晶硅平板探测器型
IP成像方式
多丝正比室扫描投影DR
CCD摄像机型DR
第20题:
保护层
碘化铯闪烁体层
非晶硅光电二极管阵列
行驱动电路
图像信号读取电路
第21题:
CsI+CCD阵列
非晶硅平板探测器
非晶硒平板探测器
多丝正比电离室
计算机X线摄影
第22题:
非晶硒平扳探测器
碘化铯+非晶硅平扳探测器
利用影像板进行X线摄影
闪烁体+CCD摄像机阵列
硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器
第23题:
增感屏
非晶硒平板探测器
多丝正比电离室
碘化色+非晶硅探测器
半导体狭缝线阵探测器