晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()此题为判断题(对，错)。

题目
晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()

此题为判断题(对，错)。

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1.关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

2.晶体管结构特点是：发射区重掺杂, 基区轻掺杂且很薄, 集电区面积大。

3.关于BJT的结构特点，以下说法错误的是（)A．基区很薄，掺杂浓度很低B．发射区的掺杂浓度远大于集电区C．基区的掺杂浓度远大于集电区D．集电区面积大于发射区面积

4.晶体管具备电流放大的内部条件是()。A.基区薄而其杂质浓度低B.基区杂质浓度高C.降低发射区杂质浓度D.加强电子在基区的复合

参考答案和解析
参考答案：对
更多“晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。() ”相关问题

  • 第1题：

    基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数。


    正确

  • 第2题：

    2、基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数。


    正确

  • 第3题：

    4、关于BJT的结构特点，以下说法错误的是（)

    A．基区很薄，掺杂浓度很低

    B．发射区的掺杂浓度远大于集电区

    C．基区的掺杂浓度远大于集电区

    D．集电区面积大于发射区面积


    基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

  • 第4题：

    三极管工作在放大状态 下，载流子由发射区发射，基区输运，集电区收集

    三极管工作在放大状态 下，载流子由发射区发射，基区输运，集电区收集


    发射结正偏、集电结都反偏

  • 第5题：

    双极型晶体管的制作工艺流程中，首先制备的是 ，其次制备的是 ，最后制备的是

    A．集电区、基区、发射区

    B．基区、发射区、集电区

    C．栅区、源区、漏区

    D．基区、集电区


    集电区、基区、发射区

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