A、由两种不同的材料硅和锗制成
B、掺入的杂质不同
C、P区和N区的位置不同
D、电流放大倍数不同
第1题:
NPN型晶体管和PNP型晶体管都含有三个掺杂区,分别是发射区,基区和集电区
第2题:
NPN型与PNP型晶体管的区别是()。
A.由两种不同的半导体材料硅或锗构成
B.掺入杂质不同
C.P区或N区位置不同
D.死区电压不同
第3题:
NPN型 和 PNP型晶体管的区别是 ()。
A.由两种不同材料硅和锗制成的
B.掺入杂质元素不同
C.P区和N区的位置不同
D.放大系数不同
第4题:
NPN型和PNP型晶体管的集电区和基区间的PN结称为发射结
第5题:
NPN型晶体管和PNP型晶体管都含有三个掺杂区,分别是发射区,基区和集电区。