此题为判断题(对,错)。
1.一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 ()此题为判断题(对,错)。
2.1、硅二极管的死区电压(开启电压)是0.7V
3.温度上升会使二极管反向饱和电流增大, 死区电压变小。 硅管的温度稳定性比锗管好
4.硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。A. 0.2,0.7B. 0.5,0.2C. 0.7, 1.0
第1题:
什么是二极管的死去电压?为什么会出现死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?
第2题:
一般情况下,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压()。
第3题:
什么是二极管的死区电压?为什么会出现死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值是多少?
第4题:
【填空题】锗二极管的死区电压是
第5题:
硅二极管的死区电压(开启电压)是0.7V