缓冲电路的基本设计思路是：在器件开通时，使电流缓升;在器件关断时，使电压缓升。()

第1题：

如下，关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：

A．MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。

B．MOSFET是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。

C．MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长。

D．MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。

第2题：

1、在电力电子变换电路分析过程中，通常认为开关器件为理想器件，以下关于理想开关器件的描述，正确的是？

A．导通时器件两端管压降较大

B．开通与关断过程需要较长时间才能完成

C．关断时其反向漏电流较大

D．导通时其管压降约等于零

第3题：

关于关断缓冲电路，表述正确的是：

A．di/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压。

B．du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。

C．关断缓冲电路用于抑制器件的电流过冲和di/dt。

D．du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小器件的开通损耗。

第4题：

如下关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：

A．MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。

B．MOSFET是场控器件，静态时栅极几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。

C．MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程时间长。

D．MOSFET是场控器件，静态时栅极需输入大电流，开通关断过程非常迅速。

第5题：

8、关于电力电子器件缓冲电路，表述正确的是下面哪一个？

A．缓冲电路又称吸收电路，其作用是吸收电力电子器件的热量。

B．缓冲电路又称吸收电路，其作用是使器件的开关速度变为缓慢。

C．缓冲电路又称吸收电路，其作用是抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。

D．缓冲电路又称吸收电路，其作用是抑制器件内因过电压、过电流，但并没有减小器件的开关损耗。