此题为判断题(对,错)。
第1题:
纯净单质半导体中,自由电子和空穴数密度相同,称为本征半导体,给本征半导体掺入适当杂质便成为自由电子(或空穴)占优势的N型半导体(或P型半导体)。在N型半导体中自由电子为多数载流子;在P型半导体中空穴是多数载流子。三种半导体是否都可以否用来做霍尔元件?
A.P型和N型可以,本征不可以。
B.N型和本征可以,P型不可以。
C.P型可以,N型和本征不可以。
D.N型可以,P型和本征不可以。
第2题:
为纯净的硅材料中掺入硼、铝、铟元素,形成(),其多子为()。
A.P型半导体,空穴
B.P型半导体,电子
C.N型半导体,空穴
D.N型半导体,电子
第3题:
1、N型半导体的自由电子比空穴多,故N型半导体带负电,P型半导体的空穴比自由电子多,故P型半导体带正电。
第4题:
3、由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。
第5题:
题2-1-1、为纯净的硅材料中掺入硼、铝、铟元素,形成(),其多子为()。
A.P型半导体,空穴
B.P型半导体,电子
C.N型半导体,空穴
D.N型半导体,电子