第1题:
单管共射极放大电路处于饱和状态,要使电路恢复成放大状态,通常采用的方法是()。
第2题:
随着温度升高,雪崩光电二极管(APD)的倍增增益将()
第3题:
光电检测器的种类有PN结光电二极管和()三种。
第4题:
在电动Ⅲ型仪表电路中的报警,电路RC环节是()。
第5题:
光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加()偏置电压。
第6题:
光接收机中,雪崩光电二极管引入的噪声为()
第7题:
光电二极管能将()信号转变为()信号,它工作时需加反向偏置电压。
第8题:
光电二极管加<()>电压能产生电流,发光二极管<()>电压下工作。
第9题:
对
错
第10题:
第11题:
减小光电二极管的接受光的区域的面积;
减小光电二极管的P—N结的厚度;
减小后级电路的负载电阻的阻值;
给光电二极管加较大的反向偏置电压。
第12题:
光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声
量子噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声
量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、光接收机的电路噪声
量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声
第13题:
为保持稳定的增益,雪崩光电二极管需要在温度变化的情况下进行()补偿。
第14题:
雪崩光电二极管(APD)利用()使光电流得到倍增。
第15题:
常用的光电检测器有光电二极管(PIN)和雪崩光电二极管(APD)两种。
第16题:
简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应
第17题:
采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm
第18题:
采用雪崩光电二极管(APD)的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。
第19题:
齐纳击穿时的击穿电压约()V,当反向击穿电压()时,为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数,而雪崩击穿具有()电压温度系数。
第20题:
它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较高,而光电二极管掺杂浓度低;
它们的电阻率不同,光电池的电阻率低;
工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而光电二极管通常在反向偏置下工作;
它们的光电流的大小不同,光电池的光电流小得多,通常在微安级。
第21题:
载流子在耗尽区的漂移时间过长
将光信号转换为电信号的效率太低
其所加的反向偏置电压过大
其注入的非平衡载流子扩散过快
第22题:
灵敏度效应
温度效应
响应度效应
雪崩效应
第23题:
湿度
温度
电压
电流