下列各项中不是电平控制型器件的是()。A.GTOB.GTRC.IGBTD.MOSFET

题目
下列各项中不是电平控制型器件的是()。

A.GTO

B.GTR

C.IGBT

D.MOSFET

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1.下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET

2.下列关于74HCT系列逻辑器件输入输出电平的描述中，正确的是(27)。A．输入为TTL电平，输出为TTL电平B．输入为CMOS电平，输出为TTL电平C．输入为TTL电平，输出为CMOS电平D．输入为CMOS电平，输出为CMOS电平

3.● 下列关于74HCT 系列逻辑器件输入输出电平的描述中，正确的是 （27） 。（27）A. 输入为TTL电平，输出为TTL电平B. 输入为CMOS 电平，输出为TTL电平C. 输入为TTL电平，输出为CMOS 电平D. 输入为CMOS 电平，输出为CMOS 电平

4.下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

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  • 第1题：

    下列关于N型MOSFET的说法，不正确的有

    A．NMOS器件包括栅（G），源（S），漏（D）等端口。

    B．NMOS器件的源漏对称。

    C．NMOS器件作为开关使用时，栅极接高电平，则源-漏端导通。

    D．NMOS器件作为开关使用时，栅极接低电平，则源-漏端断开


    导通后，管压降比较低，管子消耗功率少，因此发热小

  • 第2题：

    下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（）。 A. P-MOSFET B. GTO C. GTR D. IGBT


    GTR

  • 第3题：

    2、下列说法中，哪些是错误的

    A．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力与低电平驱动能力相同

    B．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍

    C．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，低电平驱动能力是高电平驱动能力的3倍

    D．对CMOS结构的NOR3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍


    B

  • 第4题：

    下列全控器件中，属于电流控制型的器件是 （）

    A．P-MOSFET

    B．SIT

    C．GTR

    D．IGBT


    GTR

  • 第5题：

    在下列全控器件中, 属于电压控制型的器件是（）。 A. P-MOSFET B. GTO C. GTR D. IGBT


    P-MOSFET;IGBT

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