IGBT的反向耐压较低,目前,IGBT模块总是将二极管同IGBT()封装在一起。A、串联B、并联C、反并联D、以上选项都不正确

题目

IGBT的反向耐压较低,目前,IGBT模块总是将二极管同IGBT()封装在一起。

A、串联

B、并联

C、反并联

D、以上选项都不正确

相似考题

1.开关式励磁调节器原理是将IGBT管与直流励磁机磁场变阻器()。A、并联B、串联C、混联D、以上都可以

2.7.晶闸管串联使用时需要注意哪些事项？电力MOSFET和IGBT各自并联使用时需要注意哪些问题？

3.IGBT具有寄生的反并联二极管

4.7、7.晶闸管串联使用时需要注意哪些事项？电力MOSFET和IGBT各自并联使用时需要注意哪些问题？

更多“IGBT的反向耐压较低,目前,IGBT模块总是将二极管同IGBT()封装在一起。A、串联B、并联C、反并联D、以 ”相关问题

  • 第1题：

    7、IGBT的通态模型为（）

    A．pin二极管和MOSFET的并联；

    B．pin二极管和MOSFET的串联

    C．MOSFET和pnp晶体管的串联；

    D．MOSFET的漏极作为pnp晶体管的基极。


    A

  • 第2题：

    10、MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是下面哪一个？

    A．型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。

    B．型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。

    C．型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。

    D．型号相同的MOSFET可以并联运行；IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。


    D

  • 第3题：

    下列关于IGBT的工作原理，说法正确的是（）

    A．IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的。

    B．IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通。

    C．由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降。

    D．当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断。


    A

  • 第4题：

    下列关于IGBT的工作原理，说法正确的是（）

    A．IGBT是一种场控器件，其开通和关断是由栅极和发射电压UGE决定的

    B．IGBT的UGE大于其开启电压UGE(th)时，MOS管中形成导电沟，为输出GTR管提供基极电流,进而使IGBT导通

    C．由于GTR具有电导调制效应，导通电阻小，使得高耐压的IGBT具有很小通态压降

    D．当IGBT的栅极不加信号或施加反压时，MOS管导电沟道消失，晶体管被切断，使得IGBT关断


    与纸币基本类似;接收的硬币可以循环找零;硬币最终流入回收箱

  • 第5题：

    12、IGBT具有寄生的反并联二极管


    错误

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