位于集电区与基区之间的PN结称为()。A、基极B、发射结C、集电结D、以上选项均不正确

第1题：

56、BJT的基区多子类型，与相邻的集电区、发射区多子类型相反，发射结与集电结的联接可等效为两个背靠背的二极管串联。

第2题：

11、为保证放大模式的应用，BJT在工艺制造中需满足（）。

A．发射区掺杂浓度最高

B．基区宽度极薄

C．集电结面积远远大于发射结面积

D．发射区和集电区掺杂浓度一样

E．基区足够宽

F．集电结面积和发射结面积一样大

第3题：

3DU型硅光电三极管的工作原理：工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同，即集电极反向偏置、发射极正向偏置。光激发产生的电子-空穴对在反向偏置的PN结内建电场的作用下，电子流向集电区被集电极收集，空穴流向基区与正向偏置的发射结发射的电子流复合，形成基极电流Ip，基极电流将被集电结放大β倍。

第4题：

NPN型和PNP型晶体管的集电区和基区间的PN结称为发射结

第5题：

提高特征频率fT的主要技术途径包括：

A．减小发射结面积AE；

B．减小集电结面积AC；

C．减小基区宽度xB；

D．减小集电区掺杂浓度NC；