场效应管的漏极电流与栅源之间的电压成平方率关系
第1题:
A、不能形成导电沟道
B、漏极电压为零
C、能够形成导电沟道
D、漏极电流不为零
第2题:
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。
第3题:
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。
第4题:
场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的。
第5题:
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
第6题:
根据场效应管的转移特性,可知场效应管是一种()器件。
第7题:
场效应管中,Idss表示栅源电压为零时的()电流。
第8题:
场效应管工作在饱和区时,其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈()关系。
第9题:
结型场效应管的栅、源极之间应加()电压。
第10题:
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制,来改变()的宽窄,从而控制漏极电流的大小;而MOSFET则是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面()的多少,从而控制漏极电流的大小。
第11题:
反偏电压
反向电流
正偏电压
正向电流
第12题:
栅极电流
栅源电压
漏源电压
栅漏电压
第13题:
A、栅极电流
B、栅源电压
C、源极电压
D、源极电流
第14题:
结型场效应管工作在线性区时,有放大作用。它是用栅源间的电压控制漏极电流的。由它构成的放大电路(),并有一定的电压放大倍数。
第15题:
绝缘栅场效应管的栅极与源极和()之间是完全绝缘的。
第16题:
场效应管中,夹断电压表示漏极电流为()时的栅源电压。
第17题:
场效应管工作在非饱和区时,其电压电流之间呈现()关系。
第18题:
场效应管是通过()改变漏极电流的。
第19题:
结型场效应管用作放大时,其栅源极之间应加()电压。
第20题:
场效应管共漏极放大电路的信号是从()
第21题:
场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的,因此,称它为()控制电流的器件。
第22题:
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失,可以将MOS管作为开关器件使用。
第23题:
对
错
第24题:
最大漏极电流
最小漏极电流
最大许用漏-源电压
最小许用漏-源电压