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  • 第1题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:D
    解析:该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM),即动态随机存储器,需要用恒电流以保存信息,一断电,信息即丢失,它的存取速度不是很快;SRAM (静态RAM),即静态随机存取存储器(Static RAM),随机存取存储器的一种,数据存入静态RAM后,只要电源维持不变,其中存储的数据就能够一直维持不变,不需要定时刷新。与动态RAM比,静态RAM的读写速度要快,但由于每个存储单元的结构更复杂,集成度也较低,所以应该选择D。

  • 第2题:

    下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

    Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高

    Ⅱ.SRAM比DRAM成本高

    Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

    其中正确的叙述是

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:B
    解析:SRAM的工作速度快(如2ns):不需要刷新电路,因此使用简单:在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出);但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息,而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息),功能较大,制造成本高,价格贵。选项B正确。

  • 第3题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

    Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高

    Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高

    Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快

    Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新

    通常情况下,哪两个叙述是正确的?( )

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:D
    解析:DRAM(DynamicRAM),动态随机存储器。SRAM(静态RAM),静态随机存取存储器(staticRAM),且工作时需要刷新。与动态RAM比,静态RAM的读写速度快,集成度也较低。

  • 第4题:

    在存储器系列中,需要定时刷新的器件有哪些()。

    A、EPROM

    B、DRAM;

    C、SRAM;

    D、SAM


    参考答案:BD

  • 第5题:

    以下关于SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)的说法中,正确的是( )。

    A.SRAM的内容是不变的,DRAM的内容是动态变化的B.DRAM断电时内容会丢失,SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM的内容是只读的,DRAM的内容是可读可写的D.SRAM和DRAM都是可读可写的,但DRAM的内容需要定期刷新


    正确答案:D

  • 第6题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下,错误的是()。

    A.Ⅰ和Ⅱ
    B.Ⅱ和Ⅲ
    C.Ⅲ和Ⅳ
    D.Ⅰ和Ⅳ

    答案:B
    解析:
    DRAM的集成度高于SRAM,SRAM的速度高于DRAM,可以推出DRAM的成本低于SRAM,SRAM芯片工作时不需要刷新,DRAM芯片工作时需要刷新。

  • 第7题:

    以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对的。()

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第8题:

    以下关于SRAM和DRAM的区别描述中,()是不对的。

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRAM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第9题:

    DRAM为什么需要定时刷新? 


    正确答案:DRAM靠MOS管极间电容存储电荷的有无决定所存信息是0还是1,由于漏电流的存在,它存储的信息不能长时间保存,需要定时重新写入,称为“刷新”。

  • 第10题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新; 其中正确的是()。

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:A

  • 第11题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是().①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:B

  • 第12题:

    单选题
    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新; 其中正确的是()。
    A

    ①和②

    B

    ②和③

    C

    ③和④

    D

    ①和④


    正确答案: C
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

    Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单

    Ⅱ.DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ.DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新

    其中哪两个叙述是错误的?

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:B
    解析:本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的,该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程,只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息,电容充电至高电平为“1”,放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏,需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容,这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂,制造成本高,速度也要快。正确答案为选项B。

  • 第14题:

    下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:D

  • 第15题:

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中哪两个是正确的?( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

    A.Ⅰ和Ⅱ

    B.Ⅱ和Ⅲ

    C.Ⅲ和Ⅳ

    D.Ⅰ和Ⅳ


    正确答案:D

  • 第16题:

    需要进行刷新处理存储器的是( )

    A.ROM

    B.EPROM

    C.DRAM

    D.SRAM


    正确答案:C

  • 第17题:

    工作时需要动态刷新的是()。



    A. DRAM
    B. PROM
    C. EPROM
    D. SRAM


    答案:A
    解析:
    主存储器的种类。 ①RAM:随机存储器,可读写,断电后数据无法保存,只能暂存数据。 ②SRAM:静态随机存储器,在不断电时信息能够一直保持。 ③DRAM:动态随机存储器,需要定时刷新以维持信息不丢失。 ④ROM:只读存储器,出厂前用掩膜技术写入,常用于存放BIOS和微程序控制。 ⑤PROM:可编程ROM,只能够一次写入,需用特殊电子设备进行写入。 ⑥EPROM:可擦除的PROM,用紫外线照射15~20分钟可擦去所有信息,可写入多次。 ⑦E2PROM:电可擦除EPROM,可以写入,但速度慢。 ⑧闪速存储器:现在U盘使用的种类,可以快速写入。

  • 第18题:

    DRAM需要刷新的原因是因为DRAM靠()存储电荷,如果不刷新,会因为漏电而失去存储的信息。


    正确答案:电容

  • 第19题:

    以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对()

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第20题:

    动态RAM需要进行刷新操作,而静态RAM不需要进行刷新操作。


    正确答案:正确

  • 第21题:

    DRAM为什么要刷新,存储系统如何进行刷新?


    正确答案:DRAM以单个MOS管为基本存储单元,以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容的容量很小,充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失,所以要不断对它进行刷新操作、即读取原内容、放大再写入。
    存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址,将存储DRAM芯片中的某一行选中刷新。实际上,刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有DRAM芯片,所有DRAM芯片都在同时进行一行的刷新操作。
    刷新控制电路设置每次行地址增量,并在一定时间间隔内启动一次刷新操作,就能够保证所有DRAM芯片的所有存储单元得到及时刷新。

  • 第22题:

    一般情况下,BIOS芯片都是可以进行升级或者刷新的。以下哪些情况BIOS芯片可以直接进行升级或刷新()。

    • A、BIOS芯片被烧毁
    • B、BIOS芯片数据丢失
    • C、BIOS芯片数据过旧
    • D、BIOS芯片在刷新过程中断电引起的损坏

    正确答案:C

  • 第23题:

    关于SRAM和DRAM,下面说法正确的是()。

    • A、SRAM需要定时刷新,否则数据会丢失
    • B、DRAM使用内部电容来保存信息
    • C、SRAM的集成度高于DRAM
    • D、只要不掉点,DRAM内的数据不会丢失

    正确答案:B

  • 第24题:

    问答题
    DRAM为什么要刷新,存储系统如何进行刷新?

    正确答案: DRAM以单个MOS管为基本存储单元,以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容的容量很小,充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失,所以要不断对它进行刷新操作、即读取原内容、放大再写入。
    存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址,将存储DRAM芯片中的某一行选中刷新。实际上,刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有DRAM芯片,所有DRAM芯片都在同时进行一行的刷新操作。
    刷新控制电路设置每次行地址增量,并在一定时间间隔内启动一次刷新操作,就能够保证所有DRAM芯片的所有存储单元得到及时刷新。
    解析: 暂无解析