关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的（）A、持续时间长B、突触前膜去极化C、潜伏期较长D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现E、轴突末梢释放抑制性递质

题目

关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的（）

  • A、持续时间长
  • B、突触前膜去极化
  • C、潜伏期较长
  • D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现
  • E、轴突末梢释放抑制性递质
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1.关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的A、持续时间长B、突触前膜去极化C、潜伏期较长D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现E、轴突末梢释放抑制性递质

2.突触前抑制的特点下列哪一项是错误的A、突触前膜去极化B、持续时间长C、潜伏期较长D、通过轴突一轴突突触结构的活动来实现E、轴突末梢释放抑制性递质

3.关于突触的描述中，哪一项是错误的()。A.是神经元与神经元之间或神经元与非神经元之间特化的细胞连接B.可分为电突触和化学突触，通常泛指的突触是后者C.光镜下可分为突触前成分、突触间隙和突触后成分D.突触前成分包括突触前膜、线粒体和突触小泡E.突触后膜上有特异性受体

4.下列关于突触前抑制的叙述，错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短，持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动

更多“关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的（）”相关问题

  • 第1题：

    关于突触前抑制的描述,错误的是()

    A.中间兴奋性神经元兴奋

    B.突触后膜超极化

    C.突触前膜去极化

    D.突触前膜释放兴奋性递质

    E.突触前膜内递质耗竭


    参考答案：B

  • 第2题：

    下列突触前抑制的描述，哪个是不正确的

    A．突触前膜释放递质量减少

    B．一定有轴—轴突触存在

    C．突触前膜释放抑制性递质

    D．多见于感觉传入途径中


    正确答案：C

  • 第3题：

    下述关于兴奋突触传递过程的论述，哪一项是错误的？

    A. 突触前膜去极化
    B. Ca2+进入突触前膜
    C. 突触前膜释放兴奋性递质
    D. 突触后膜对Na+通透性增强
    E. 突触后膜产生IPSP经总和产生动作电位

    答案：E
    解析：

  • 第4题：

    下列关于突触前抑制特点的描述，正确的是

    A.以树突-树突式突触为结构基础
    B.多见于运动传出通路中
    C.潜伏期和持续时间均较长
    D.因突触前膜发生超极化而产生

    答案：C
    解析：

  • 第5题：

    下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是( )。

    A.
    B.突触前末梢去极化
    C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
    D.
    E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

    答案：E
    解析：

  • 第6题：

    关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）

    • A、突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内
    • B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少
    • C、突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高
    • D、突触后膜出现超极化电位

    正确答案:B

  • 第7题：

    关于突触前抑制的正确描述是（）

    • A、突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位
    • B、突触前膜超极化，释放抑制性递质
    • C、突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少
    • D、突触前膜去极化，释放抑制性递质

    正确答案:C

  • 第8题：

    单选题
    关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）
    A

    突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内

    B

    突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少

    C

    突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高

    D

    突触后膜出现超极化电位


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（　　）
    A

    突触前轴突末梢去极化

    B

    Ca2+由膜外进入突触前膜内

    C

    突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

    D

    突触后膜对Cl-或K+的通透性升高

    E

    突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    关于突触的描述中，哪一项错误（）。
    A

    是神经元与神经元之间，或神经元与非神经元之间特化的细胞连接

    B

    可分为电突触和化学性突触，通常泛指的突触是后者

    C

    光镜化学性突触下可分为突触前成分、突触间隙和突触后成分（电镜下）

    D

    突触前成分包括突触前膜、线粒体和突触小泡

    E

    突触后膜上有特异性受体


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是（　　）。
    A

    Ca2＋由膜外进入突触前膜内

    B

    突触前末梢去极化

    C

    突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

    D

    突触后膜对K＋或Cl-的通透性升高

    E

    突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？（　　）
    A

    结构基础与突触前抑制不同

    B

    到达突触前末梢的动作电位频率高

    C

    有多个兴奋同时到达突触前末梢

    D

    进人突触前末梢内Ca2+增多

    E

    突触后膜有多个EPSP发生总和


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的

    A．突触前末梢去极化

    B．Ca2+由膜内进入突触前膜内

    C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

    D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高

    E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动


    正确答案：E
    解析：IPSP产生过程是：突触前末梢去极化，Ca2+由膜内进入突触前膜内，引起突触小泡释放抑制性递质与突触后膜受体结合，使突触后膜对K+、Cl-的通透性升高，突触后膜出现超极化的电位变化，突触后神经元表现抑制。

  • 第14题：

    关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的

    A.突触前末梢去极化
    B.Ca由膜外进入突触前膜内
    C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
    D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
    E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

    答案：E
    解析：
    抑制性突触后电位是一种在突触后膜处产生的超极化局部电位，对神经元膜去极化达到阈电位有阻碍作用，使该神经元不容易产生动作电位。

  • 第15题：

    下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？

    A. 突触前膜超极化
    B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
    C. 突触前膜释放抑制性递质
    D. 突触后膜对Cl-通透性增强
    E. Cl-内流产生IPSP

    答案：A
    解析：

  • 第16题：

    关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？


    A.结构基础与突触前抑制完全不同
    B.到达突触前末梢的动作电位频率高
    C.有多个兴奋同时到达突触前末梢
    D.进入突触前末梢内的增多

    答案：D
    解析：

  • 第17题：

    下列关于突触前抑制特点的描述，正确的是( )

    A.以树突一树突式突触为结构基础
    B.多见于运动传出通路中
    C.潜伏期和持续时间均较长
    D.因突触前膜发生超极化而产生

    答案：C
    解析：
    突触前抑制以轴突一胞体式突触和轴突一轴突式突触为结构基础，不存在树突一树突式突触；因突触前膜发生去极化而产生；在中枢内广泛存在，尤其多见于感觉传入通路中，对调节感觉传入活动具有重要意义。

  • 第18题：

    关于兴奋性实触后电位产生过程的描述中哪一项是错误的？（）

    • A、突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内
    • B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质并与突触前受体结合
    • C、突触后瞄对Na+、K+、C1-，特别是Na+的通透性增高
    • D、突触后膜出现去极化电位

    正确答案:B

  • 第19题：

    关于突触的描述中，哪一项错误（）。

    • A、是神经元与神经元之间，或神经元与非神经元之间特化的细胞连接
    • B、可分为电突触和化学性突触，通常泛指的突触是后者
    • C、光镜化学性突触下可分为突触前成分、突触间隙和突触后成分（电镜下）
    • D、突触前成分包括突触前膜、线粒体和突触小泡
    • E、突触后膜上有特异性受体

    正确答案:C

  • 第20题：

    单选题
    突触前抑制的特点下列哪一项是错误的（）
    A

    突触前膜去极化

    B

    持续时间长

    C

    潜伏期较长

    D

    通过轴突一轴突突触结构的活动来实现

    E

    轴突末梢释放抑制性递质


    正确答案： D
    解析： 轴突末梢释放抑制性递质是形成抑制性突触后电位的机制。

  • 第21题：

    单选题
    关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的（）
    A

    持续时间长

    B

    突触前膜去极化

    C

    潜伏期较长

    D

    通过轴突-轴突突触结构的活动来实现

    E

    轴突末梢释放抑制性递质


    正确答案： E
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    多选题
    下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）
    A

    突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少

    B

    突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质

    C

    突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触

    D

    潜伏期短，持续时间短

    E

    可调节控制感觉信息的传入活动


    正确答案： B,C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    关于突触前抑制的正确描述是（）
    A

    突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位

    B

    突触前膜超极化，释放抑制性递质

    C

    突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少

    D

    突触前膜去极化，释放抑制性递质


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    下列关于突触前抑制特点的描述，正确的是（　　）。
    A

    以树突一树突式突触为结构基础

    B

    多见于运动传出通路中

    C

    潜伏期和持续时间均较长

    D

    因突触前膜发生超极化而产生

    E

    意义在于使神经元的活动及时终止


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

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