本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移 B、空穴，自由电子；漂移，扩散 C、空穴，自由电子；扩散，漂移 D、自由电子，空穴；漂移，扩散 E、自由电子，空穴；扩散，扩散

题目

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。

  • A、自由电子，空穴；扩散，飘移 
  • B、空穴，自由电子；漂移，扩散 
  • C、空穴，自由电子；扩散，漂移 
  • D、自由电子，空穴；漂移，扩散 
  • E、自由电子，空穴；扩散，扩散
相似考题

1.在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴

2.下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子

3.在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。()此题为判断题(对，错)。

4.自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()

更多“本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散”相关问题

  • 第1题：

    N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。

    • A、W型半导体
    • B、U型半导体
    • C、P型半导体
    • D、N型半导体

    正确答案:D

  • 第2题：

    P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。

    • A、空穴；空穴
    • B、空穴；自由电子
    • C、自由电子；空穴
    • D、自由电子；自由电子

    正确答案:B

  • 第3题：

    N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。

    • A、正离子
    • B、自由电子
    • C、空穴
    • D、负离子
    • E、质子
    • F、中子

    正确答案:B,C

  • 第4题：

    P型半导体中的多数载流子是（）

    • A、自由电子
    • B、空穴
    • C、正离子

    正确答案:B

  • 第5题：

    对半导体而言，其正确的说法是（）

    • A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电
    • B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电
    • C、P型半导体和N型半导体本身都不带电
    • D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子

    正确答案:C

  • 第6题：

    P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）


    正确答案:正确

  • 第7题：

    P型半导体中的多数载流子是指（）

    • A、自由电子
    • B、空穴
    • C、自由电子—空穴对
    • D、等离子

    正确答案:B

  • 第8题：

    在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。

    • A、正离子数
    • B、负离子数
    • C、质子
    • D、原子

    正确答案:B

  • 第9题：

    P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。

    • A、W型半导体
    • B、U型半导体
    • C、P型半导体
    • D、N型半导体

    正确答案:C

  • 第10题：

    填空题
    空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。

    正确答案： 多数,少数
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。
    A

    空穴；空穴

    B

    空穴；自由电子

    C

    自由电子；空穴

    D

    自由电子；自由电子


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。

    正确答案： 多数 , 少数
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。

    • A、W型半导体
    • B、U型半导体
    • C、P型半导体

    正确答案:C

  • 第14题：

    在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。

    • A、正离子数
    • B、负离子数
    • C、质子
    • D、原子

    正确答案:A

  • 第15题：

    N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）

    • A、仅自由电子是载流子
    • B、仅空穴是载流子
    • C、自由电子和空穴都是载流子
    • D、三价杂质离子也是载流子

    正确答案:C

  • 第17题：

    P型半导体中多数载流子是（）

    • A、自由电子
    • B、空穴
    • C、负离子
    • D、正离子

    正确答案:B

  • 第18题：

    N型半导体中多数载流子是（）

    • A、自由电子
    • B、空穴
    • C、负离子
    • D、正离子

    正确答案:A

  • 第19题：

    本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。


    正确答案:等于；小于；大于

  • 第20题：

    半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。

    • A、W型半导体
    • B、U型半导体
    • C、P型半导体

    正确答案:C

  • 第21题：

    半导体的自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。

    • A、W型半导体
    • B、U型半导体
    • C、P型半导体
    • D、N型半导体

    正确答案:D

  • 第22题：

    单选题
    在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。
    A

    空穴／自由电子

    B

    自由电子／空穴

    C

    空穴／共价键电子

    D

    负离子／正离子


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。

    正确答案： N,P
    解析： 暂无解析

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