单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（　　）。A 硒鼓检测器B CR成像板（IP）C 直接转换平板探测器D 间接转换平板探测器E 多丝正比室检测器

题目
单选题
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（　　）。
A

硒鼓检测器

B

CR成像板（IP）

C

直接转换平板探测器

D

间接转换平板探测器

E

多丝正比室检测器

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1.应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.硒鼓检测器B.CR成像板(IP)C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器

2.FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是A、薄膜晶体管技术B、光敏照相机技术C、光电倍增管技术D、光激励发光技术E、非晶硒技术

3.关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是()。A.使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同

4.应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A、硒鼓检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器

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  • 第1题：

    FPD能够成为平板形状，主要是由于探测器的单元阵列采用的是

    A.薄膜晶体管技术

    B.光敏照相机技术

    C.光电倍增管技术

    D.光激励发光技术

    E.非晶硒技术


    正确答案：A

  • 第2题：

    FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是

    A.薄膜晶体管技术
    B.光敏照相机技术
    C.光电倍增管技术
    D.光激励发光技术
    E.非晶硒技术

    答案：A
    解析：
    TFT阵列可以装配成平板状。

  • 第3题：

    属于DR成像直接转换方式的是（）

    • A、非晶硒平扳探测器
    • B、碘化铯+非晶硅平扳探测器
    • C、利用影像板进行X线摄影
    • D、闪烁体+CCD摄像机阵列
    • E、硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器

    正确答案:A

  • 第4题：

    应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是（）

    • A、硒鼓探测器，
    • B、IP成像转换器，
    • C、直接转换平板探测器，
    • D、间接转换平板探测器，
    • E、多丝正比室检测器

    正确答案:D

  • 第5题：

    单选题
    下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是（　　）。
    A

    非晶硅-非晶硒-CCD

    B

    CCD-非晶硅-非晶硒

    C

    非晶硒-非晶硅-CCD

    D

    非晶硅-CCD-非晶硒

    E

    CCD-非晶硒-非晶硅


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    单选题
    应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）。
    A

    硒鼓检测器

    B

    IP成像转换器

    C

    直接转换平板探测器

    D

    间接转换平板探测器

    E

    多丝正比室检测器


    正确答案： E
    解析： 从外部看，探测器是接收X线照射而直接输出数字图像信息，所以称作直接X线摄影。

  • 第7题：

    单选题
    目前最常用的DR系统为（　　）。
    A

    CsI＋CCD阵列

    B

    非晶硅平板探测器

    C

    非晶硒平板探测器

    D

    多丝正比电离室

    E

    计算机X线摄影


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    单选题
    下列属于DR成像间接转换方式的部件是（　　）。
    A

    闪烁体

    B

    非晶硒平板探测器

    C

    CCD摄像机阵列

    D

    碘化铯＋非晶硅探测器

    E

    半导体狭缝线阵列探测器


    正确答案： B
    解析：
    DR成像的转换方式：①直接转换方式包括：直接转换平板探测器（非晶硒）；多丝正比电离室狭缝扫描方式或半导体狭缝扫描方式。②间接转换方式包括：间接转换平板探测器（碘化铯＋非晶硅，或使用硫氧化钆/铽）；闪烁体＋CCD摄像机阵列。

  • 第9题：

    应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是

    A.砸鼓检测器

    B.IP成像转换器

    C.直接转换平板探测器

    D.间接转换平板探测器

    E.多丝正比室检测器


    正确答案：C

  • 第10题：

    关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是（）

    • A、使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷
    • B、典型材料为非晶硒（a-SE.
    • C、每个薄膜晶体管（TFT）形成一个采集图像的最小单元
    • D、非晶硒层直接将X线转换成电信号
    • E、与非晶硅探测器的工作原理相同

    正确答案:E

  • 第11题：

    属于DR成像直接转换方式的部件是（）

    • A、闪烁体+CCD摄像机阵列
    • B、非晶硒平板探测器
    • C、碘化铯+非晶硅探测器
    • D、半导体狭缝线阵探测器
    • E、多丝正比电离室

    正确答案:B

  • 第12题：

    单选题
    非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于（　　）。
    A

    信号读出

    B

    荧光材料层和探测元阵列层的不同

    C

    A/D转换

    D

    信号输出

    E

    信号放大


    正确答案： B
    解析：
    非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器，其信号读出、放大、A/D转换和输出等部分基本相同。二者的区别在于荧光材料层和探测元阵列层的不同。

  • 第13题：

    单选题
    FPD能够成为平板形状，主要是探测器的单元阵列采用的是（）.
    A

    薄膜晶体管技术

    B

    光敏照相机技术

    C

    光电倍增管技术

    D

    光激励发光技术

    E

    非晶硒技术


    正确答案： A
    解析： TFT阵列可以装配成平板状。

  • 第14题：

    单选题
    非晶硅平板探测器基本结构为（　　）。
    A

    碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路

    B

    碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路

    C

    硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路

    D

    非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路

    E

    碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路


    正确答案： D
    解析：
    非晶硅平板探测器基本结构为：碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路。

  • 第15题：

    单选题
    属于DR成像直接转换方式的是（）
    A

    非晶硒平扳探测器

    B

    碘化铯+非晶硅平扳探测器

    C

    利用影像板进行X线摄影

    D

    闪烁体+CCD摄像机阵列

    E

    硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第16题：

    多选题
    DSA非晶硅平板探测器的构成。（）
    A

    碘化铯构成的闪烁体层

    B

    CCD层

    C

    信号读出电路

    D

    石英玻璃衬体

    E

    非晶硅薄膜晶体管阵列层


    正确答案： C,B
    解析： 非晶硅平板探测器由碘化铯构成的闪烁体层、非晶硅阵列层、信号读出电路和石英玻璃衬体等部分组成，是一种三层结构：表面一层为碘化铯闪烁体材料，其中碘化铯光柱达20μm，由连续排列的针状碘化铯晶体构成，针柱的直径约6μm，外表面由重元素铊包裹以形成可见光波导减少漫射；第二层是以非晶硅为材料的光电二极管电路；最底层为TFT（大面积薄膜晶体管阵列）电荷信号读出电路（即电荷收集阵列电路）。当然还有起支持作用的玻璃层。

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