填空题IGBT的驱动特性原则上与（）的几乎相同。

题目
填空题
IGBT的驱动特性原则上与（）的几乎相同。
相似考题

1.IGBT是一个复合型的器件,它是( )A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTR&"160;C.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

2.IGBT的驱动方法和（）基本相同，故具有高输入阻抗特性。A、MOSFETB、GTOC、SCRD、GTR

3.IGBT驱动电路大多采用集成式电路。

4.IGBT是ー个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0

参考答案和解析
正确答案： MOSFET
解析： 暂无解析
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  • 第1题：

    IGBT的驱动特性原则上与（）的几乎相同。


    正确答案:MOSFET

  • 第2题：

    IGBT的驱动由（）来控制开通和关断。


    正确答案:栅极电压

  • 第3题：

    为防止IGBT的误导通，通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压，例如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。


    正确答案:最大容量递增顺序为Power MOSFET、IGBT、SCR；开关频率递增顺序为SCR、IGBT、Power MOSFET；SCR为电流型驱动；而Power MOSFET和IGBT为电压型驱动。

  • 第5题：

    IGBT是一个复合型的器件，它是（）。

    • A、GTR驱动的MOSFET
    • B、MOSFET驱动的GTR
    • C、MOSFET驱动的晶闸管
    • D、MOSFET驱动的GTO

    正确答案:B

  • 第6题：

    简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。


    正确答案:（1）门极电压最高绝对值小于20V
    （2）门极阈值电压为2.5~5V
    （3）用小内阻的驱动源，以保证U（GE）有足够陡的前沿
    （4）驱动正电平的选择：U（GE）越高，通态与开关损耗越小，但短路电流越大，一般取12~15V
    （5）关断过程中为了加快关断速度，一般取U（GE）为－5~－10V
    （6）门极电阻对开关速度影响很大，门极电阻越大，开关损耗越大，门极电阻越小，关断尖峰电压越高（应取合适值）
    （7）控制电路与驱动电路应隔离
    （8）简单实用，有保护，抗干扰强

  • 第7题：

    IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。


    正确答案:正确

  • 第8题：

    判断题
    为防止IGBT的误导通，通常在正向驱动脉冲以外的时刻对IGBT的栅极施加关断负偏压，如电车直流机组用的IGBT所选择的负偏压数值为-24V。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    DYZX007A电源中心IGBT驱动模块由三片双路IGBT驱动器组成，测试时接通电源后分别测试端口引脚G与E之间的电压，正常值应为（），如果某处电压不正常则是对应的驱动片或驱动电阻损坏。
    A

    DC15V

    B

    DC24V

    C

    AC15V

    D

    AC24V


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。

    正确答案： （1）门极电压最高绝对值小于20V
    （2）门极阈值电压为2.5~5V
    （3）用小内阻的驱动源，以保证U（GE）有足够陡的前沿
    （4）驱动正电平的选择：U（GE）越高，通态与开关损耗越小，但短路电流越大，一般取12~15V
    （5）关断过程中为了加快关断速度，一般取U（GE）为－5~－10V
    （6）门极电阻对开关速度影响很大，门极电阻越大，开关损耗越大，门极电阻越小，关断尖峰电压越高（应取合适值）
    （7）控制电路与驱动电路应隔离
    （8）简单实用，有保护，抗干扰强
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    IGBT的驱动由（）来控制开通和关断。

    正确答案： 栅极电压
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    IGBT的驱动特性原则上与（）的几乎相同。

    正确答案： MOSFET
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    不属于IGBT管特点的是（）

    • A、IGBT管为混合器件
    • B、驱动功率容量小
    • C、电流等级为10A—400A
    • D、IGBT管是一种电流型器件

    正确答案:D

  • 第14题：

    DYZX007A电源中心IGBT驱动模块由三片双路IGBT驱动器组成，测试时接通电源后分别测试端口引脚G与E之间的电压，正常值应为（），如果某处电压不正常则是对应的驱动片或驱动电阻损坏。

    • A、DC15V
    • B、DC24V
    • C、AC15V
    • D、AC24V

    正确答案:A

  • 第15题：

    IGBT的静态特性包括传输特性和（）。


    正确答案:输出特性

  • 第16题：

    下列属于单极型电压驱动型器件的是（）。

    • A、GTR
    • B、GTO
    • C、MOSFET
    • D、IGBT

    正确答案:C

  • 第17题：

    IGBT属于电压驱动型器件。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。


    正确答案:电压；GTR；GTO；晶闸管

  • 第19题：

    IGBT的开关特性显示关断波形存在（）现象。


    正确答案:电流拖尾

  • 第20题：

    判断题
    IGBT属于电压驱动型器件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？

    正确答案： IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，ⅠGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
    GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
    GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
    电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。
    A

    GTO和GTR；

    B

    TRIAC和IGBT；

    C

    MOSFET和IGBT；

    D

    SCR和MOSFET；


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。

    正确答案： 电压,GTR,GTO,晶闸管
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

    正确答案： 最大容量递增顺序为Power MOSFET、IGBT、SCR；开关频率递增顺序为SCR、IGBT、Power MOSFET；SCR为电流型驱动；而Power MOSFET和IGBT为电压型驱动。
    解析： 暂无解析

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