由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条,所需该存储芯片的片数为()
第1题:
● 下列关于静态存储器 (SRAM) 和动态存储器 (DRAM) 的叙述中, 不正确的是 (9) 。
(9)
A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高
B. DRAM 就是通常说的内存
C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低
D. SRAM 只要不断电,数据就能永久保存
第2题:
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下,哪两个叙述是错误的?
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
第3题:
下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:
Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高
Ⅱ.SRAM比DRAM成本高
Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新
其中正确的叙述是
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
第4题:
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中哪两个是正确的?( )。
Ⅰ DRAM比SRAM集成度高
Ⅱ DRAM比SRAM成本高
Ⅲ DRAM比SRAM速度快
Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
第5题:
PC中既使用ROM,也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中,错误的是( )。
A.ROM芯片掉电后,存放在芯片中的内容会丢失
B.PC中CMOS RAM中的信息,在PC关机后一般不会丢失
C.由于SRAM的速度比DRAM快,因此,在PC中,SRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由DRAM组成
D.DRAM的基本存储电路单元是单管动态存储电路,SRAM的基本存储电路单元是六管静态存储电路,因此,DRAM的集成度比SRAM的集成度高
第6题:
第7题:
4M×1位DRAM存储芯片需要地址总线为()条,由此种芯片构成8M×8位高集成度的内存条,所需该存储芯片的片数为()片。
第8题:
内存条是dram内存,()是sram内存
第9题:
主存储器在物理结构上由若干插在主板上的内存条组成。目前,内存条上的芯片一般选用DRAM而不采用SRAM。()
第10题:
4
8
16
32
第11题:
第12题:
第13题:
下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中,正确的是( )。
A.静态RAM(SRAM)集成度低,但存取速度快且无须刷新
B.DRAM的集成度高且成本高,常做Cache用
C.DRAM的存取速度比SRAM快
D.DRAM中存储的数据断电后不会丢失
SRAM的特点是工作速度快,只要电源不撤除,写入SRAM的信息就不会丢失,不需要刷新电路,同时在读出时不破坏原来存放的信息,一‘经写入可多次读出,但集成度较低,功耗较大。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。DRAM是动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory),集成度较高,功耗也较低,但缺点是一般信息保存时问为2ms左右。为了保存DRAM中的信息,必须每隔1~2ms对其刷新一次。因此,采用DRAM的计算机必须配置动态刷新电路,防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的丰存储器。
第14题:
PC机中,DRAM内存条的速度与类型有关,若按存取速度从低到高的顺序排列,正确的是
A.SDRAM、RDRAM、EDO DRAM
B.EDO DRAM、SDRAM、RDRAM
C.EDO DRAM、RDRAM、SDRAM
D.RDRAM、EDO DRAM、SDRAM
第15题:
下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。
Ⅰ DRAM比SRAM集成度高
Ⅱ DRAM比SRAM成本高
Ⅲ DRAM比SRAM速度快
Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
第16题:
为提高PC机主存储器的存取速度,出现了多种类型的DRAM内存条,若按存取速度从低到高排列,正确的顺序是( )。
A.EDO DRAM,SDRAM,RDRAM
B.EDO DRAM,RDRAM,SDRAM
C.SDRAM,EDO DRAM,RDRAM
D.RDRAM,DEO DRAM,SDRAM
第17题:
第18题:
由4M×1位存储芯片构成8M×8位的内存条,所需该存储芯片的片数为()。
第19题:
SRAM比DRAM电路简单,集成度高,功耗低。
第20题:
下列关于RAM的说法中,错误的是()
第21题:
19
22
30
36
第22题:
4片
8片
16片
32片
第23题:
对
错