电阻应变片的电阻相对变化率与()成正比。
第1题:
第2题:
第3题:
金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()
第4题:
沿应变片轴向的应变ex必然引起应变片电阻的相对变化,而沿垂直于应变片轴向的横向应变ey也会引起其电阻的相对变化,这种现象称为()。
第5题:
金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于:前者利用()引起的电阻变化,后者利用()变化引起的电阻变化。
第6题:
当测量较小应变值时,应选用()工作的应变片,而测量大应变值时,应选用压阻效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。
第7题:
电阻应变片的电阻相对变化率是与()成正比的。
第8题:
金属丝应变片在测量某一构件的应变时,其电阻的相对变化主要由()来决定。
第9题:
贴片位置的温度变化
电阻丝几何尺寸的变化
电阻丝材料的电阻率变化
第10题:
第11题:
第12题:
第13题:
第14题:
贴电阻片处的应变为1500με,电阻片的灵敏系数K=2.0,在这个电阻片上产生的电阻变化率应是()。
第15题:
应变片测量应变的理论基础是:在一定范围内,应变片的电阻变化率与应变成()关系。
第16题:
金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
第17题:
金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起电阻的相对变化主要由()。
第18题:
金属电阻应变片的电阻相对变化主要是由于电阻丝的()变化产生的。
第19题:
金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。
第20题:
当应变片的主轴线方向与试件轴线方向一致,且试件轴线上受一维应力作用时,应变片灵敏系数K的定义是()。
第21题:
第22题:
单位应变的电阻变化量
单位电阻的应变变化量
单位应变的电阻变化率
单位电阻的应变变化率
第23题: