简述化学气相沉积工艺过程的要点。
题目
简述化学气相沉积工艺过程的要点。
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第1题：
简述化学气相沉积原理及其应用。
正确答案: （1） 原理：气相元素或化合物被输运到基体（衬底）表面附近，在一定条件下使它们发生化学
反应，并在基体表面发生固相反应成膜；化学反应大致可分为分解反应（热分解）、还原反应、氧化反应、水解反应、聚合反应和输运反应等；使化学反应激活的方法包括加热、高频电压、激光、X射线、等离子体、电子碰撞和催化等。
（2） 应用：耐磨镀层：以氮化物、氧化物、碳化物和硼化物为主，主要应用于金属切削刀具。
在切削应刷中，镀层性能上主要包括硬度、化学稳定性、耐磨性、低摩擦系数、高导热与热稳定性和与基体酬结合强度。这类镀层主要有TiN、TiC、TaC、HfN、Al2O3、TiB2等，都已得到应用；
摩擦学镀层：降低接触的滑动面或转动面之间的摩擦系数，减少粘着、摩擦或其他原因造成的磨损。这类镀层主要是难熔化合物。在镀层性能上主要是硬度、弹性模量、断裂韧性、与基体的结合强度、晶粒尺寸等。
高温应用镀层：镀层的热稳定性。高分解温度的难熔化合物，比较适合予高温环境应用。涉及到反应性气氛，就须考虑它的氧化和化学稳定性，可选用难熔化合物和氧化物的混合物。此外有相容的热膨胀特性和强度，如环境有经常性的热震，选择难熔金属硅化物和过渡金属铝化物。这类应用包括火箭喷嘴、加力燃烧室部件、返回大气层的锥体、高温燃气轮机热交换部件和陶瓷汽车发动机缸套、活塞等。
开发新材料：陶瓷材料中增韧的化合物晶须可用CVD来生产，已有的Si3N4、TiC、Al2O3、TiN、Cr3C2、SiC、ZrC、ZrO2等。 -
第2题：
简述化学气相沉积生产装置
正确答案: （1）气相反应室；
（2）加热系统；
（3）气体控制系统；
（4）排气系统 -
第3题：
在光纤的制备方法中，VAD法是指（）。
- A、外部化学气相沉积法
- B、轴向化学气相沉积法
- C、改进的化学气相沉积法
- D、等离子化学气相沉积法
正确答案:B -
第4题：
化学气相沉积和物理气相沉积的基本原理是什么？
正确答案:物理气相沉积，在真空条件下，用物理方法使材料气化成原子、分子或电离成离子，并通过物理沉积过程，在材料表面沉积一层薄膜的技术；
化学气相沉积，在一定条件下，混合气体相互作用或与基体表面相互作用而在基体表面形成金属或化合物薄膜的方法。 -
第5题：
填空题化学气相沉积与物理气相沉积最根本的区别是在沉积前是否发生了（）。正确答案： 化学反应解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题化学气相沉积与物理气相沉积有什么区别？正确答案： （1）化学气相沉积（CVD）是将低温下气化的金属化合物与加热到高温的工件接触，在工件表面与碳氢化合物和氢气或氮气进行气相反应而生成金属或化合物沉积层的过程。
（2）将金属、合金或化合物放在真空室中蒸发或称溅射，使这些相原子或分子在一定条件下沉积在工件表面上的工艺称为物理气相沉积（简称PVD）.解析： 暂无解析 -
第7题：
单选题“PECVD”中文表述是（）。A脉冲激光沉积
B金属有机化学气相沉积
C溅射
D等离子体增强化学气相沉积
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题何为化学气相沉积法？简述其应用及分类。正确答案： 1）化学气相沉积法（CVD）是指通过气相化学反应生成固态产物并沉积在固体表面的方法。
2）CVD法可用于制造覆膜、粉末、纤维等材料，它是半导体工业中应用最为广泛的沉积多种材料的技术，包括制造大范围的绝缘材料、大多数金属材料和合金材料。解析： 暂无解析 -
第9题：
单选题集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）A溅射物理气相沉积
B蒸发物理气相沉积
C等离子增强化学气相沉积
D低压化学气相沉积
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题简述影响化学气相沉积制备材料质量的几个主要因素。正确答案： （1）反应混合物的供应
反应混合物的供应是决定材料质量的最重要因素之一。通过实验选择最佳反应物分压配比。
（2）沉积温度
沉积温度是最主要的工艺条件之一。直接影响反应系统的自由能，决定反应进行的程度和方向，对涂层的显微结构及化学组成有直接的影响。同一反应体系在不同温度下，沉积物可以是单晶、多晶、无定形物，甚至不发生沉积。
（3）衬底材料
对沉积层质量来说，基体材料是一个十分关键的影响因素。涂层能与基体之间有过渡层或线性膨胀系数差异相对较小时，涂层与基体结合牢固。
（4）系统内总压和气体总流速
这一因素在封管系统中往往起着重要作用。它直接影响输运速率，由此波及生长层的质量。在真空（一至几百帕）沉积工作日益增多的情况下，会改善沉积层的均匀性和附着性等。
（5）反应系统装置的因素
反应系统的密封性、反应管和气体管道的材料以及反应管的结构形式对产品质量也有不可忽视的影响。
（6）源材料的纯度
大量事实表明，器件质量不合格往往是由于材料问题，而材料质量又往往与源材料（包括载气）的纯度有关。解析： 暂无解析 -
第11题：
填空题气相沉积法分为（）和化学沉积法；化学沉积法按反应的能源可分为热能化学气相沉积、（） 。正确答案： 物理沉积法,等离子增强化学气相沉积与光化学沉积解析： 暂无解析 -
第12题：
单选题利用气态化合物（或化合物的混合物）在基体受热表面发生化学反应，并在该基体表面生成固态沉积物的技术称（）。A物理气相沉积（PVD）
B物理气相沉积（CVD）
C化学气相沉积（VCD）
D化学气相沉积（CVD）
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第13题：
简述化学气相沉积法的五个基本步骤
正确答案: A.反应物已扩散通过界面边界层；
B.反应物吸附在基片的表面；
C.化学沉积反应发生；
D. 部分生成物已扩散通过界面边界层；
E.生成物与反应物进入主气流里，并离开系统。
CVD反应是由这五个主要步骤所构成的。因为进行这五个的发生顺序成串联，因此CVD反应的速率取决于步骤，将由这五个步骤里面最慢的一个来决定。 -
第14题：
化学气相沉积
正确答案: 乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。 -
第15题：
低压化学气相沉积有哪些优点？
正确答案:优点：1.晶体生长或成膜的质量好
2.沉积温度低，便于控制
3.可使沉积衬底的表面积扩大，提高沉积效率。
化学式：Fe3O4+8HCl=FeCl2+2FeCl3+4H2O -
第16题：
化学气相沉积与物理气相沉积最根本的区别是在沉积前是否发生了（）。
正确答案:化学反应 -
第17题：
问答题简述化学气相沉积原理及其应用。正确答案： （1） 原理：气相元素或化合物被输运到基体（衬底）表面附近，在一定条件下使它们发生化学
反应，并在基体表面发生固相反应成膜；化学反应大致可分为分解反应（热分解）、还原反应、氧化反应、水解反应、聚合反应和输运反应等；使化学反应激活的方法包括加热、高频电压、激光、X射线、等离子体、电子碰撞和催化等。
（2） 应用：耐磨镀层：以氮化物、氧化物、碳化物和硼化物为主，主要应用于金属切削刀具。
在切削应刷中，镀层性能上主要包括硬度、化学稳定性、耐磨性、低摩擦系数、高导热与热稳定性和与基体酬结合强度。这类镀层主要有TiN、TiC、TaC、HfN、Al2O3、TiB2等，都已得到应用；
摩擦学镀层：降低接触的滑动面或转动面之间的摩擦系数，减少粘着、摩擦或其他原因造成的磨损。这类镀层主要是难熔化合物。在镀层性能上主要是硬度、弹性模量、断裂韧性、与基体的结合强度、晶粒尺寸等。
高温应用镀层：镀层的热稳定性。高分解温度的难熔化合物，比较适合予高温环境应用。涉及到反应性气氛，就须考虑它的氧化和化学稳定性，可选用难熔化合物和氧化物的混合物。此外有相容的热膨胀特性和强度，如环境有经常性的热震，选择难熔金属硅化物和过渡金属铝化物。这类应用包括火箭喷嘴、加力燃烧室部件、返回大气层的锥体、高温燃气轮机热交换部件和陶瓷汽车发动机缸套、活塞等。
开发新材料：陶瓷材料中增韧的化合物晶须可用CVD来生产，已有的Si3N4、TiC、Al2O3、TiN、Cr3C2、SiC、ZrC、ZrO2等。解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题简述化学气相沉积生产装置正确答案： （1）气相反应室；
（2）加热系统；
（3）气体控制系统；
（4）排气系统解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题简述化学气相沉积法的五个基本步骤正确答案： A.反应物已扩散通过界面边界层；
B.反应物吸附在基片的表面；
C.化学沉积反应发生；
D. 部分生成物已扩散通过界面边界层；
E.生成物与反应物进入主气流里，并离开系统。
CVD反应是由这五个主要步骤所构成的。因为进行这五个的发生顺序成串联，因此CVD反应的速率取决于步骤，将由这五个步骤里面最慢的一个来决定。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题简述化学气相沉积工艺过程的要点。正确答案： 1、涂层的形成是通过气相的化学反应完成的
2、涂层的形核和长大是在基体的表面上进行的
3、所有涂层的反应均为吸热反应，所需热量靠辐射或感应加热供给解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题简述化学气相沉积的特点。正确答案： ①在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而沉积固体；
②可以在大气压（常压）或者低于大气压（低压）下进行沉积。一般说低压效果要好一些；
③采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行；
④镀层的化学成分可以改变，从而获得梯度沉积物或者得到混和镀层；
⑤可以控制镀层的密度和纯度；
⑥绕镀性好，可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀制；
⑦气流条件通常是层流的，在基体表面形成厚的边界层；
⑧沉积层通常具有柱状晶结构，不耐歪曲。但通过各种技术对化学反应进行气相扰动，可以得到细晶粒的等轴沉积层；
⑨可以形成多种金属、合金、陶瓷和化合物层。解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题在大马士革铜工艺中，铜薄膜通常采用（）方式获得。A物理气相沉积
B化学气相沉积
C电化学镀
D热氧化
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题化学气相沉积和物理气相沉积的基本原理是什么？正确答案： 物理气相沉积，在真空条件下，用物理方法使材料气化成原子、分子或电离成离子，并通过物理沉积过程，在材料表面沉积一层薄膜的技术；
化学气相沉积，在一定条件下，混合气体相互作用或与基体表面相互作用而在基体表面形成金属或化合物薄膜的方法。解析： 暂无解析