写出热焖渣的工艺流程？
题目
写出热焖渣的工艺流程？
相似考题
参考答案和解析
正确答案:渣罐运输→天车起吊→渣罐入池翻罐→挖机扒渣→罩车打水→重复翻罐扒渣打水→最后一次打水醒渣→扣盖热焖→间接打水→开盖醒渣→挖机出渣→进入磁选加工区域。
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第1题：
热焖罐可以倒满热焖池，和排气口不用留有距离。
正确答案:错误 -
第2题：
简述热焖渣翻罐前的操作准备。
正确答案: （1）检查热焖装置状况；（2）热焖装置装渣前，务必执行“四检查制度”；（3）检查供排水系统水泵、阀门，使之处于正常工作状态；（4）检查并是开喷水管，调节水量大小，保持喷管及喷嘴畅通。 -
第3题：
热焖池装渣量应具排气口多远？装渣时间应为多少？
正确答案:应控制在500mm为宜，进渣时间应控制在6小时范围内。 -
第4题：
何种渣罐不能翻入热焖池中？
正确答案:冷碎渣、湿渣、清场灰、脱硫渣、白灰渣、冻铁块等禁止倒入热焖池中，含钢量大的液态渣或大块的黑渣不能直接倒入热焖池中。 -
第5题：
热焖停止打水的温度和原则是什么？
正确答案:热门停止打水的理论温度为70℃左右，温度回升不超过20℃即可停止打水。 -
第6题：
请写出压铸工艺流程图。
正确答案: 压铸机调试→压铸模安装→模具预热/涂料配置→模具清理→调整模具/合金熔炼→浇铸压射→开模（抽芯取件）→表面质量检查→去水口除批锋及后加工→铸件处理（表面抛光、电镀、喷涂等）→最终检验→包装入库或出货。 -
第7题：
写出钢轨铝热焊的主要工艺流程。
正确答案: （1）焊接料具准备；
（2）线路和待焊接头准备；
（3）固定钢轨（接头校正）；
（4）安装砂型；
（5）封箱；
（6）预热；
（7）焊剂和坩锅准备；
（8）钢水浇注；
（9）焊后接头整修；
（10）检测焊头质量。 -
第8题：
写出制水工艺流程图？
正确答案:原水、保安水――进水电动阀――（加聚合氯化鋁）――全自动净水器――原水池――原水泵――机械过滤器――阳离子交换器――脱气塔――中间水箱――－中间水泵――阴离子交换器――除盐水池――除盐水泵――加氨调节PH值――用水点。 -
第9题：
写出果酱加工工艺流程。
正确答案:原料处理--→加热软化--→配料--→浓缩--→装罐--→密封--→杀菌--→冷却--→成品。 -
第10题：
写出盐水火腿的加工工艺流程。
正确答案:原料肉选择、修整→盐水注射→滚揉按摩→充填→蒸煮→烟熏→冷却。 -
第11题：
问答题写出果酱加工工艺流程。正确答案： 原料处理--→加热软化--→配料--→浓缩--→装罐--→密封--→杀菌--→冷却--→成品。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题写出巴氏杀菌乳的工艺流程。正确答案： 原料乳验收→预处理→预热→均质→巴氏杀菌→冷却→灌装→包装检验→冷藏→成品解析： 暂无解析 -
第13题：
热焖池翻入第一罐时不用将热焖罐放入池中翻罐。
正确答案:错误 -
第14题：
炸焖的工艺流程是：“生料拌味→上粉→（）→焖制→勾芡→成品”。
- A、炸至半熟
- B、炸至仅熟
- C、炸至上色
- D、炸透
正确答案:D -
第15题：
热焖池每倒入一罐热焖渣不需要打水降温既可倒入下一罐。
正确答案:错误 -
第16题：
下列哪些热焖罐不得翻入热焖池中。（）
- A、铸铁罐
- B、稀渣
- C、红渣
- D、冷碎渣、湿渣、清场灰、铸余渣、脱硫渣、垃圾罐、白灰罐
正确答案:D -
第17题：
热焖池装渣前执行的“四检查制度”指什么？
正确答案:（1）检查排气阀是否打开正常；（2）检查热焖装置内有无清渣操作人员；（3）检查热焖池底部有无积水；（4）检查排水系统是否堵塞。 -
第18题：
请写出硅酸盐水泥生产工艺流程？
正确答案: 1.工程概况与特点
2.施工平面图布置
3.施工部署和管理体系
4.施工方案以及技术措施
5.施工质量保证计划
6.安全保证计划 -
第19题：
写出内镀法制造滚轮的工艺流程。
正确答案: 内镀法制造滚轮的工艺流程：
阴模制备→镀前表面处理→上砂（埋砂法或沉降法）→加厚→电铸→浇芯（在阴模内腔中加一钢芯作为滚轮电铸层的基体）→机械加工（以阴模外圆为基准加工钢芯的内孔和两端面）→剥壳（以内孔为基准全部磨去阴模金属）→修整→精度检验。 -
第20题：
写出茶饮料的工艺流程。
正确答案: 茶饮料的工艺流程为：
茶叶→热浸提→过滤→茶浸提液→调配→过滤→加热灌装→密封→杀菌→冷却→检验→成品。 -
第21题：
写出二次发酵法加工面包的工艺流程。
正确答案:原辅料处理→第一次面团调制→第一次发酵→第二次面团调制→第二次发酵→整形→醒发→烘烤→冷却包装。 -
第22题：
写出豆乳粉的加工工艺流程。
正确答案:原料大豆或低变性脱脂豆--→清理---→制豆乳--→过滤--→灭菌--→浓缩脱腥--→均质--→喷雾干燥--→出粉--→豆乳粉。 -
第23题：
问答题经过哪些工艺流程可以实现选择“掺杂”？写出工艺流程。正确答案： 掺杂主要有两种方法，即热扩散和离子注入；
①热扩散：高温环境下，由于热运动杂质原子运动到半导体内部形成一定的分布。主要有两步工艺，即预淀积（恒定表面源扩散）和再分布（有限表面源扩散）；通过在硅表面生成氧化层再进行光刻形成掩蔽膜后可以对特定区域进行掺杂。
②离子注入：将带电的、经过强电场加速具有高能量的杂质离子射入到半导体基片中，再经退火使杂质激活，在半导体内部形成一定的杂质分布。主要过程为：离子源产生注入离子经初聚焦系统聚成离子束射向磁分析器，筛选出所需离子经加速器获得高能量，通过偏束板使带电离子打向靶室的样片上，完成离子注入。对特定区域进行离子注入方式掺杂可以加掩蔽膜也可以不加掩蔽膜。解析： 暂无解析