更多“列举FET、MOSFET、集成电路的焊接注意事项是什么?”相关问题
  • 第1题:

    BJT与FET管的输出电阻为()

    • A、均很大
    • B、均很小
    • C、BJT管很大,FET管较小
    • D、BJT管很小,FET管较大

    正确答案:A

  • 第2题:

    集成电路的焊接,焊接时间不宜过长,连续焊接时间不宜超过()

    • A、5秒
    • B、10秒
    • C、15秒
    • D、20秒

    正确答案:B

  • 第3题:

    试列举3个牌号切换注意事项。


    正确答案: ①、产品牌号切换一般按照密度逐渐上升的原则进行;
    ②、牌号切换过程中,一般采用超调方法;
    ③、在生产薄膜产品前尽可能避免生产高分子量产品。

  • 第4题:

    简单列举出使用天平时的注意事项。


    正确答案: (1)不要称直接从干燥箱或冷藏箱内拿出的物品
    (2)用镊子拿物品,或戴手套拿取物品
    (3)不可称取超过最大测量值的物品
    (4)使用前需要预热
    (5)选择接触面较小的容器
    (6)使用清洁干燥的容器并保持称盘的清洁无水滴

  • 第5题:

    总结使用集成电路的注意事项是什么?


    正确答案: ①在使用集成电路时,其负荷不允许超过极限值;当电源电压变化不超出额定值±10%的范围时,集成电路的电气参数应符合规定标准;在接通或断开电源的瞬间,不得有高电压产生,否则将会击穿集成电路。
    ②输入信号的电平不得超出集成电路电源电压的范围(即:输入信号的上限不得高于电源电压的上限,输入信号的下限不得低于电源电压的下限;对于单个正电源供电的集成电路,输入电平不得为负值)。必要时,应在集成电路的输入端增加输入信号电平转换电路。
    ③一般情况下,数字集成电路的多余输入端不允许悬空,否则容易造成逻辑错误。“与门”、“与非门”的多余输入端应该接电源正端,“或门”、“或非门”的多余输入端应该接地(或电源负端)。为避免多余端,也可以把几个输入端并联起来,不过这样会增大前级电路的驱动电流,影响前级的负载能力。
    ④数字集成电路的负载能力一般用扇出系数No表示,但它所指的情况是用同类门电路作为负载。当负载是继电器或发光二极管等需要大电流的元器件时,应该在集成电路的输出端增加驱动电路。
    ⑤使用模拟集成电路前,要仔细查阅它的技术说明书和典型应用电路,特别注意外围元件的配置,保证工作电路符合规范。对线性放大集成电路,要注意调整零点漂移、防止信号堵塞、消除自激振荡。
    ⑥商业级集成电路的使用温度一般在0~+70℃之间。在系统布局时,应使集成电路尽量远离热源。
    ⑦在手工焊接电子产品时,一般应该最后装配焊接集成电路;不要使用大于45W的电烙铁,每次焊接时间不得超过10秒钟。
    ⑧对于MOS集成电路,要特别防止栅极静电感应击穿。一切测试仪器(特别是信号发生器和交流测量仪器)、电烙铁以及线路本身,均须良好接地。当MOS电路的D-S电压加载时,若G输入端悬空,很容易因静电感应造成击穿,损坏集成电路。对于使用机械开关转换输入状态的电路,为避免输入端在拨动开关的瞬间悬空,应该在输入端接一个几十千欧的电阻到电源正极(或负极)上。此外,在存储MOS集成电路时,必须将其收藏在防静电盒内或用金属箔包装起来,防止外界电场将栅极击穿。

  • 第6题:

    在集成电路中,高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的电流源电路来代替。


    正确答案:正确

  • 第7题:

    当栅源电压等于零时,增强型FET()导电沟道,结型FET的沟道电阻()。


    正确答案:无;最小

  • 第8题:

    IGBT是一个复合型的器件,它是()。

    • A、GTR驱动的MOSFET
    • B、MOSFET驱动的GTR
    • C、MOSFET驱动的晶闸管
    • D、MOSFET驱动的GTO

    正确答案:B

  • 第9题:

    列举相关和回归分析的应用注意事项。


    正确答案: (1)一个不显著的r并不一定意味着y和x没有关系,而只是说明x和y没有显著的线性关系。
    (2)一个显著的r或b并不意味着y和x的关系必为线性。
    (3)x预测y时,不能外推到x取值之外
    (4)一个显著的相关或回归并不一定具有实践上的预测意义
    (5)必须严格控制被研究的两个变数的变动范围,使之尽可能成为固定的常量。

  • 第10题:

    问答题
    列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用?

    正确答案: 集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑(微机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。
    解析: 暂无解析

  • 第11题:

    单选题
    BJT与FET管的输出电阻为()
    A

    均很大

    B

    均很小

    C

    BJT管很大,FET管较小

    D

    BJT管很小,FET管较大


    正确答案: A
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    焊接设备的安全用电注意事项是什么?

    正确答案: (1)空载电压适当
    (2)足够容量、单独控制装置
    (3)外漏带电部分完好隔离防护
    (4)各带电部分对地绝缘电阻不低于1MΩ
    (5)结构合理便于维修、触点及连接件应牢靠
    (6)不带电外壳必须保护接地接零。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    列举几种集成电路典型工艺,工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?


    正确答案: 制造工艺:我们经常说的0.18微米、0.13微米制程,就是指制造工艺了。制造工艺直接关系到cpu的电气性能,而0.18微米、0.13微米这个尺度就是指的是cpu核心中线路的宽度,MOS管是指栅长。

  • 第14题:

    焊接设备的安全用电注意事项是什么?


    正确答案: (1)空载电压适当
    (2)足够容量、单独控制装置
    (3)外漏带电部分完好隔离防护
    (4)各带电部分对地绝缘电阻不低于1MΩ
    (5)结构合理便于维修、触点及连接件应牢靠
    (6)不带电外壳必须保护接地接零。

  • 第15题:

    列举野外旅行的注意事项。


    正确答案:1.用报纸引火,不易引燃木柴,应事先准备好浸过打火机油的木屑,就可以引燃火苗。用石头起灶,灶口应朝风口,剩下的三面用石头围起来,空气流通越好,火苗就越旺。必须注意的是绝对不要在禁止火种的地方用火。灭火时,也要十分小心。将烧旺的火用水浇熄,确定火已全灭后,再仔细清扫灰烬残渣,然后覆上土,将它恢复原状,这是野餐最基本的道理准则。
    2.不论是进行真正的徒步健身,对鞋子的选择都应讲究。在不平的路面步行时,鞋子的舒适与否关系到脚疲劳的程度。步行鞋既轻又软,十分具有机械性。购买步行鞋时,该注意的要点如下:脚尖脚后跟的强度要适中,应有防滑条纹;试穿时,脚尖最好能自由活动。
    3.在大自然中,受伤或生病的发生率较高,为了预防万一,应随时携带备有常用药品及救护用品的急救箱。
    4.被石头拦倒或被树枝刮伤是家常便饭,但撞击到的若是要害部位,就有可能演变成紧急事态。若只是手脚轻微碰撞,可用水等冷敷,再将患部抬得比心脏高,这样的紧急处置已经足够。头部受重撞后发生呕吐现象便有危险,必须尽快送医院。
    5.做菜时或余火引燃衣服而烫伤时,先用水冷敷,不可将衣服撕下,待充分冷却之后,再请医生处置。
    6.发生腹痛或腹泻是常事,这时,最好不要再吃任何东西,先暂时保暖身体,躺下让腹部好好休息一下。腹泻时要多喝水以补充水分,应事前装备好胃药以应付此时所需。

  • 第16题:

    简单列举几种焊接接头形式。


    正确答案:I形、V形、双Y形、U形。

  • 第17题:

    P-MOSFET的应用特点和选择方法是什么?


    正确答案:P.MOSFET的栅极是绝缘的,属于电压控制器件,因而输入阻抗高,驱动功率小,电路简单。为了正确的控制P-MOSFET的开通和关断,对栅极驱动电路提出如下要求:
    1、触发脉冲的前后沿要陡峭,触发脉冲的电压幅值要高于器件的开启电压,以保证P-MOSFET的可靠触发导通。
    2、开通时以低电阻对栅极电容充电,关断时为栅极电容提供低电阻放电回路,减小栅极电容的充放电时间常数,提高P-MOSFET的开关速度。
    3、P-MOSFET开关时所需的驱动电流为栅极电容的充放电流。P-MOSFET的极间电容越大,所需的驱动电流也越大。为了使开关波形具有足够的上升和下降陡度,驱动电流要具有较大的数值。

  • 第18题:

    什么叫做耗尽型FET?什么叫做增强性FET?


    正确答案: 耗尽型FET:栅源电压Ugs=0时,就有较大漏极电流Id。
    增强性FET:只有栅源电压Ugs>Vt时,才有漏极电流Id。

  • 第19题:

    在集成电路中,高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的()电路来代替。


    正确答案:电流源

  • 第20题:

    列举出葡萄酒储存的注意事项:()()()()()等。


    正确答案:温度适中;湿度适中;光线微弱;空气清新;安静稳定

  • 第21题:

    问答题
    列举两种集成电路制造中的器件隔离结构,并比较其优缺点。

    正确答案: 两种最常用的隔离结构:局部氧化隔离法隔离(LOCOS)和浅沟槽隔离(STI)。
    局部氧化隔离法会产生“鸟嘴”效应,影响器件的性能;浅沟槽隔离法能有效地减小“鸟嘴”效应。
    解析: 暂无解析

  • 第22题:

    问答题
    列举几种集成电路典型工艺,工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?

    正确答案: 制造工艺:我们经常说的0.18微米、0.13微米制程,就是指制造工艺了。制造工艺直接关系到cpu的电气性能,而0.18微米、0.13微米这个尺度就是指的是cpu核心中线路的宽度,MOS管是指栅长。
    解析: 暂无解析

  • 第23题:

    问答题
    FET的两种基本类型是什么,他们之间的主要区别是什么?

    正确答案: 类型:结型(JFET)和金属-氧化物型(MOSFET)半导体。
    区别:MOSFET作为场效应管晶体输入端的栅极由一层薄介质与晶体管的其他两极绝缘。JFET的栅极实际上同晶体管其他电极形成物理的pn结。
    解析: 暂无解析