对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散

题目

对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。

  • A、离子注入
  • B、溅射
  • C、淀积
  • D、扩散
相似考题

1.离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A、能量B、剂量

2.溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。A、电子B、中性粒子C、带能离子

3.一般来说，溅射镀膜的过程包括（）这几步。A、产生一个离子并导向靶B、被轰击的原子向硅晶片运动C、离子把靶上的原子轰出来D、经过加速电场加速E、原子在硅晶片表面凝结

4.假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

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  • 第1题：

    （）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。

    • A、溅射率
    • B、溅射系数
    • C、溅射效率
    • D、溅射比

    正确答案:A

  • 第2题：

    通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

    • A、再分布
    • B、等表面浓度扩散
    • C、预淀积
    • D、等总掺杂剂量扩散

    正确答案:C

  • 第3题：

    用高能粒子从某种物质的表面撞击出原子的物理过程叫（）。

    • A、蒸镀
    • B、离子注入
    • C、溅射
    • D、沉积

    正确答案:C

  • 第4题：

    制结可以用多种方法制备晶体硅太阳能电池的p–n结，通常采用（）

    • A、离子注入法
    • B、外延法
    • C、激光法
    • D、扩散法

    正确答案:D

  • 第5题：

    填空题
    杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主要可分为两种机构：替位式扩散和（）式扩散。

    正确答案： 间隙
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    问答题
    以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时，若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜，应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性？

    正确答案： 真空蒸镀铝膜通过衬底加热和衬底旋转来改善其台阶覆盖特性。磁控溅射通过提高衬底温度，在衬底上加射频偏压，采用强迫填充技术，采用准直溅射技术。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    判断题
    CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

    正确答案： 扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。
    （1）.离子注入掺杂的优势：相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。
    （2）离子注入掺杂的缺点：主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    判断题
    预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    为溅射做一个简短的解释，并描述它的工作方式？溅射适合于合金淀积吗？溅射淀积的优点是什么？

    正确答案： 溅射是物理气相淀积形式之一，是一种薄膜淀积技术。
    工作方式：在溅射过程中，高能粒子撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞 击出原子。这些被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在硅片上。
    优点：
    1.具有淀积并保持复杂合金原组分的能力。
    2.能够淀积高温熔化和难溶金属。
    3.能够在直径为200毫米或更大的硅片上控制淀积均匀薄膜。
    4.具有多腔集成设备，能够在淀积金属前清除硅片表面沾污和本身的氧化层。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    （）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。

    • A、蒸镀
    • B、离子注入
    • C、溅射
    • D、沉积

    正确答案:C

  • 第14题：

    在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。

    • A、填隙扩散
    • B、杂质扩散
    • C、推挤扩散
    • D、自扩散

    正确答案:B

  • 第15题：

    根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）

    • A、 温度越高，掺杂越快
    • B、 温度越低，掺杂越快
    • C、 温度恒定，掺杂最快
    • D、 掺杂快慢与温度无关

    正确答案:A

  • 第16题：

    判断题
    实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第17题：

    单选题
    杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
    A

     激活杂质后

    B

     一种物质在另一种物质中的运动

    C

     预淀积

    D

     高温多步退火


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    单选题
    受固溶引入的杂质离子的电价和浓度等外界因素所控制的扩散是（）。
    A

    本征扩散

    B

    非本征扩散

    C

    正扩散

    D

    逆扩散


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    单选题
    根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）
    A

     温度越高，掺杂越快

    B

     温度越低，掺杂越快

    C

     温度恒定，掺杂最快

    D

     掺杂快慢与温度无关


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    填空题
    扩散的目的是为了实现对半导体掺杂，杂质扩散的深度与（）有关，服从（）。杂质扩散通常分为等表面浓度扩散，也（），和固定杂质总量扩散，也称（）。预淀积的分布是（）函数，再分布扩散的杂质呈（）函数分布。

    正确答案： 杂质浓度梯度、扩散温度、扩散时间,费克定律,预淀积,再分布扩散,余误差,高斯
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

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